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龙图腾网获悉欧司朗OLED股份有限公司申请的专利光电子半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111868942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980019438.5，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权光电子半导体芯片是由安娜·斯特罗泽茨卡-阿西格;约翰尼斯·萨里奇设计研发完成，并于2019-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电子半导体芯片在说明书摘要公布了：在一个实施方式中，光电子半导体芯片1包括：半导体层序列2，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区23。镜3包括覆盖层31。覆盖层31由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚度，其中包含边界值。沿背离半导体层序列2的方向在覆盖层31后跟随有镜3的两个和十个之间的中间层32，33，34，35，其中包含边界值。中间层32，33，34，35交替地具有高折射率和低折射率。至少一个中间层32，33，34，35的光学厚度不等于L4。沿背离半导体层序列2的方向在中间层32，33，34，35后跟随有镜3的至少一个金属层39作为反射层。

本发明授权光电子半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种光电子半导体芯片（1），所述光电子半导体芯片具有： -半导体层序列（2），所述半导体层序列具有有源区（23），所述有源区用于产生具有最大强度的波长L的辐射；和 -用于在背侧（12）上的辐射的镜（3），所述背侧与光耦合输出侧（10）相对置， 其中 -所述镜（3）包括覆盖层（31），所述覆盖层距所述半导体层序列（2）最近， -所述覆盖层（31）由对于所述辐射可穿透的材料构成并且具有在0.5L和3L之间的光学厚度，其中包含边界值， -沿背离所述半导体层序列（2）的方向在所述覆盖层（31）后直接跟随有在2个和7个之间的中间层（32，33，34，35），其中包含边界值， -所述中间层（32，33，34，35）交替地具有对于所述辐射的高折射率和低折射率并且各自由所述辐射可穿透的材料构成， -所述中间层（32，33，34，35）中的至少一个的厚度不等于L4， -沿背离所述半导体层序列（2）的方向在所述中间层（32，33，34，35）后直接跟随有至少一个金属层（39）作为反射层，或者增附层（8）直接位于所述中间层（32，33，34，35）和所述金属层（39）之间，并且 -所述金属层（39）配置用于对所述半导体层序列（2）通电。

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