北京有色金属研究总院张青竹获国家专利权
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龙图腾网获悉北京有色金属研究总院申请的专利基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109950157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711398837.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法是由张青竹;屠海令;魏峰;赵鸿滨;杜军设计研发完成，并于2017-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法。该生化传感器包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜；生化传感器工作时，阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连，可调电压源的负极与电流表的正极相连。其制作方法包括：清洗硅片；生长牺牲层敏感材料层的多堆叠层；图形化多堆叠层；制作电极；选择性刻蚀多堆叠层中的牺牲层部分；活性试剂修饰。本发明的生化传感器成本低、灵敏度和精度高；本发明能够高效、低成本地批量制造生化传感器。
本发明授权基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器，其特征在于，包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜，各牺牲层、敏感材料层的厚度分别为10nm-10μm；所述敏感材料层为银导电薄膜材料；所述活性薄膜为3-（2,3环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷或戊二醛，所形成的活性基团为氨基、羧基或醛基；该生化传感器工作时，阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连，可调电压源的负极与电流表的正极相连； 所述阳电极以及阴电极采用铬金、钛金、钯金或钛铂电极材料制作，其中，铬、钛、钯粘附层材料的厚度为5nm-30nm，金、铂导电层的厚度为10nm-1μm。
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