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龙图腾网获悉沈阳仪表科学研究院有限公司申请的专利低应力硅基压力传感器芯片及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120385443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510887028.X，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权低应力硅基压力传感器芯片及加工方法是由任向阳;张治国;李永清;郑浩;王卉如;何方;刘宏伟;李颖;贾文博;祝永峰;单鹤南;张娜;李昌振;李迎辉;吴东阁;邹继锋;关维冰;尹萍;白雪松;周聪;肖文英;冯艳敏;李斌设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低应力硅基压力传感器芯片及加工方法在说明书摘要公布了：本申请涉及压力传感器芯片技术领域，尤其涉及一种低应力硅基压力传感器芯片及加工方法，芯片包括：n型硅衬底、p型压力敏感电阻、钝化层、金属电极层以及键合件；p型压力敏感电阻设置在n型硅衬底顶部的电阻放置槽内；钝化层包括二氧化硅层和氮化硅层，二氧化硅层设置在n型硅衬底和p型压力敏感电阻上，氮化硅层设置在二氧化硅层上；二氧化硅层和氮化硅层上开设有电接触区和应力释放区；电接触区设置在p型压力敏感电阻顶部外端，金属电极层设置在电接触区上；n型硅衬底底部开设有硅杯，以使硅杯上方区域的n型硅衬底构成压力敏感膜片，应力释放区设置在压力敏感膜片的上表面，以解决引入钝化层影响压力传感器芯片的输出和可靠性的问题。

本发明授权低应力硅基压力传感器芯片及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种低应力硅基压力传感器芯片，其特征在于，包括：n型硅衬底（1）、p型压力敏感电阻（2）、钝化层、金属电极层（7）以及键合件； 所述p型压力敏感电阻（2）设置在所述n型硅衬底（1）顶部的电阻放置槽内，所述p型压力敏感电阻（2）与所述n型硅衬底（1）通过PN结实现电学隔离，所述p型压力敏感电阻（2）的上表面与所述n型硅衬底（1）位于同一平面； 所述钝化层包括二氧化硅层（3）和氮化硅层（4），所述二氧化硅层（3）设置在所述n型硅衬底（1）和所述p型压力敏感电阻（2）上，所述氮化硅层（4）设置在二氧化硅层（3）上； 所述二氧化硅层（3）和氮化硅层（4）上开设有电接触区（5）和应力释放区（6）；所述电接触区（5）设置在p型压力敏感电阻（2）顶部外端，所述金属电极层（7）设置在所述电接触区（5）上； 所述n型硅衬底（1）底部开设有硅杯（8），以使所述硅杯（8）上方区域的n型硅衬底（1）构成压力敏感膜片（9），所述应力释放区（6）设置在所述压力敏感膜片（9）的上表面； 所述键合件键合于所述n型硅衬底（1）的底部。

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