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龙图腾网获悉沈阳仪表科学研究院有限公司申请的专利低应力高温压力传感器芯片及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120385444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510887175.7，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权低应力高温压力传感器芯片及加工方法是由任向阳;张治国;刘宏伟;李永清;郑浩;王卉如;何方;李颖;贾文博;祝永峰;单鹤南;张娜;李昌振;李迎辉;吴东阁;邹继锋;关维冰;尹萍;白雪松;周聪;肖文英;冯艳敏;李斌设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低应力高温压力传感器芯片及加工方法在说明书摘要公布了：本申请涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种低应力高温压力传感器芯片及加工方法，低应力高温压力传感器芯片包括碳化硅外延片、钝化层、金属电极层和碳化硅封接晶圆；碳化硅外延片中的n型碳化硅器件层、p型碳化硅隔离层和n型碳化硅衬底层由上到下依次连接；n型碳化硅器件层经刻蚀形成n型碳化硅压力敏感电阻、封接区和隔离通道；钝化层包括二氧化硅层和氮化硅层，二氧化硅层和氮化硅层上开设有应力释放区；n型碳化硅衬底层的底部经刻蚀形成压力腔体，压力腔体正上方区域的p型碳化硅隔离层和n型碳化硅衬底层构成压力敏感膜片，应力释放区设置在压力敏感膜片的上表面，以解决低应力高温压力传感器芯片可靠性低的问题。

本发明授权低应力高温压力传感器芯片及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种低应力高温压力传感器芯片，其特征在于，包括：碳化硅外延片、钝化层、金属电极层（10）和碳化硅封接晶圆（13）； 所述碳化硅外延片包括n型碳化硅器件层（1）、p型碳化硅隔离层（2）和n型碳化硅衬底层（3），所述n型碳化硅器件层（1）、p型碳化硅隔离层（2）和n型碳化硅衬底层（3）由上到下依次连接； 所述n型碳化硅器件层（1）经刻蚀形成n型碳化硅压力敏感电阻（4）、封接区（5）和隔离通道（6）；其中，所述n型碳化硅压力敏感电阻（4）通过所述隔离通道（6）与所述封接区（5）隔离； 所述钝化层包括二氧化硅层（7）和氮化硅层（8），所述二氧化硅层（7）位于所述n型碳化硅压力敏感电阻（4）和所述隔离通道（6）的上表面，所述氮化硅层（8）位于所述二氧化硅层（7）的上表面，所述二氧化硅层（7）和氮化硅层（8）上开设有应力释放区（9）；所述n型碳化硅衬底层（3）的底部经刻蚀形成压力腔体（11），所述压力腔体（11）正上方区域的p型碳化硅隔离层（2）和n型碳化硅衬底层（3）构成压力敏感膜片（12），所述应力释放区（9）设置在所述压力敏感膜片（12）的上表面； 所述金属电极层（10）设置在所述封接区（5）上，所述金属电极层（10）与所述n型碳化硅压力敏感电阻（4）电连接； 所述碳化硅封接晶圆（13）键合于所述碳化硅外延片的顶部。

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