合肥晶合集成电路股份有限公司郇小伟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制作方法、摄像模组及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510841377.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制作方法、摄像模组及电子设备是由郇小伟设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制作方法、摄像模组及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种图像传感器及其制作方法、摄像模组及电子设备，包括衬底；数个光电感应区，以相互间隔的方式形成于衬底的第一表面，所述光电感应区具有形成于衬底第一表面的第一沟槽、以共形的方式形成于第一沟槽的表面且具有掺杂的第一半导体以及以共形的方式形成于所述第一半导体的表面且具有掺杂的第二半导体，所述第二半导体与第一半导体的掺杂类型不相同；以及数个隔离区，与数个光电感应区以交错的方式形成于衬底的第一表面，所述隔离区具有形成于所述衬底的第一表面的第二沟槽、以共形的方式形成于所述第二沟槽的表面的所述第一半导体以及形成于所述第一半导体的表面的所述第二半导体。
本发明授权图像传感器及其制作方法、摄像模组及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括： 衬底； 数个光电感应区，以相互间隔的方式形成于衬底的第一表面，所述光电感应区具有形成于衬底第一表面的第一沟槽、以共形的方式形成于第一沟槽的表面且具有掺杂的第一半导体以及以共形的方式形成于所述第一半导体的表面且具有掺杂的第二半导体，所述第二半导体与第一半导体的掺杂类型不相同；以及 数个隔离区，与数个光电感应区以交错的方式形成于衬底的第一表面，所述隔离区具有形成于所述衬底的第一表面的第二沟槽、以共形的方式形成于所述第二沟槽的表面的所述第一半导体以及形成于所述第一半导体的表面的所述第二半导体。
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