合肥晶合集成电路股份有限公司康绍磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利MTP器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510823597.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权MTP器件及电子设备是由康绍磊设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本MTP器件及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种MTP器件及电子设备，包括形成于衬底的第一隧穿晶体管、第二隧穿晶体管、选择晶体管和电容，所述第一隧穿晶体管和第二隧穿晶体管的背栅相互隔离；所述第一隧穿晶体管和第二隧穿晶体管共用浮栅，所述浮栅作为所述电容的下电极，所述电容还包括栅间介质层和控制栅，所述控制栅在竖直方向与所述浮栅相对，通过所述浮栅和控制栅之间的电容耦合控制浮栅的电位；所述第一隧穿晶体管用于实现编程，所述第二隧穿晶体管用于实现擦除。其能够有效降低F‑N隧穿对浮栅与衬底之间的栅氧介质的影响，显著增加MTP器件的存储器单元的可操作次数，进而有效增加MTP器件的使用寿命。
本发明授权MTP器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MTP器件，其特征在于，包括形成于衬底（10）的第一隧穿晶体管（1）、第二隧穿晶体管（2）、选择晶体管（3）和电容（4），所述第一隧穿晶体管（1）和第二隧穿晶体管（2）的背栅相互隔离； 所述第一隧穿晶体管（1）和第二隧穿晶体管（2）共用浮栅（41），所述浮栅（41）作为所述电容（4）的下电极，所述电容（4）还包括栅间介质层（43）和控制栅（42），所述控制栅（42）在竖直方向与所述浮栅（41）相对，通过所述浮栅（41）和控制栅（42）之间的电容耦合控制浮栅（41）的电位； 所述第一隧穿晶体管（1）用于实现编程，所述第二隧穿晶体管（2）用于实现擦除。
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