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龙图腾网获悉中科院南京天文仪器有限公司申请的专利基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120315166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510806747.4，技术领域涉及：G02B26/06；该发明授权基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜及其制备方法是由郭鑫;李成;田沛霖设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜及其制备方法，属于可变形镜面结构的微纳加工技术。该制备方法通过以下步骤实现：在衬底背面刻蚀对准标记；在硅片衬底正面沉积氮化硅绝缘层，打开背面溶液刻蚀窗口；依次完成双层多晶硅电极的协同刻蚀，同步形成叉指电极、蜂窝应力孔及螺旋导流沟槽；通过机械减薄与背孔定向刻蚀实现无损结构释放；最后在真空键合封装后溅射金属反射层并实施退火工艺。本发明通过优化电极刻蚀协同性及反射镜后置工艺，同时引入背孔释放技术，解决了传统工艺中刻蚀液扩散效率低、结构粘连率高的问题，使镜面粗糙度与释放良品率显著提升，适用于高精度自适应光学系统制造。

本发明授权基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于双层电极协同刻蚀的MEMS变形镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，清洗硅片衬底，并在硅片衬底的背面刻蚀对准标记； 步骤2，在硅片衬底的正面沉积氮化硅绝缘层，并打开背面溶液刻蚀窗口；溶液刻蚀窗口的锥角为54.7°±2°； 步骤3，在氮化硅绝缘层的正面沉积多晶硅层，经减薄及离子注入后图案化形成第一叉指电极； 步骤4，在第一叉指电极的正面沉积第一磷硅玻璃牺牲层并进行减薄处理； 步骤5，在第一磷硅玻璃牺牲层正面沉积原位掺杂多晶硅层，减薄后同步刻蚀形成第二叉指电极、应力释放孔及溶液导流沟槽； 步骤6，在原位掺杂多晶硅层正面沉积第二磷硅玻璃牺牲层，并选择性去除引线区域； 步骤7，在第二磷硅玻璃牺牲层正面沉积并图案化多晶硅支撑结构； 步骤8，对硅片衬底背面实施机械减薄至200~400μm； 步骤9，根据步骤2形成的背面溶液刻蚀窗口位置，刻蚀硅片衬底至步骤4中在第一叉指电极正面沉积的第一磷硅玻璃牺牲层； 步骤10，去除第一磷硅玻璃牺牲层和第二磷硅玻璃牺牲层完成结构释放； 步骤11，在多晶硅支撑结构正面溅射金属反射层并图形化形成金基反射镜面，实施退火工艺并进行真空键合封装。

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