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龙图腾网获悉博衍科技(珠海)有限公司;梧州学院申请的专利基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120317082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510804882.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法是由岑彩纯;梁延研;邹鋆弢;陈明朗;郭慧;于健海;赵英丽设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法，具体涉及芯片散热技术领域，首先通构建散热结构设计数据库，采集散热结构设计仿真所需的数据，确定各类参数组合和相应的实验数据，然后通过构建的碳化硅芯片散热结构的仿真模型，构建多维度仿真数据集并进行处理，其次根据处理通过的仿真数据集构建散热结构设计仿真数据集，同时将处理异常结果反馈至人机端进行分析评估，根据评估异常结果进行人机交互；本发明基于数据集进行数据分析和挖掘，可以发现散热结构设计过程中产生的数据与热性能之间的内在关系，帮助设计管理员制定更科学的优化策略，提高散热结构的散热效率和性能稳定性。

本发明授权基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法在权利要求书中公布了：1.基于碳化硅芯片散热结构设计的仿真数据集构建方法，其特征在于：包括： S1：通过大数据技术，收集、存储和更新碳化硅芯片散热过程中的影响因素，并接收碳化硅芯片散热结构设计中产生的数据，构建散热结构设计数据库； S2：基于S1得到的散热结构设计数据库，采集散热结构设计仿真所需的数据，确定构建仿真数据集的各类参数组合和相应的实验数据； S3：通过仿真模型构建技术，基于S2中得到的散热结构设计第一文本和散热结构设计第二文本，构建碳化硅芯片散热结构的仿真模型； S4：将S2得到的各类参数组合输入至S3得到的碳化硅芯片散热结构的仿真模型中，构建多维度仿真数据集，包括芯片几何参数与散热性能数据集、散热结构参数与散热效率数据集、材料特性与热界面性能数据集以及工作条件与动态散热响应数据集； 所述S4中构建散热结构参数与散热效率数据集：首先将散热结构参数组合输入至碳化硅芯片散热结构的仿真模型中，通过大数据分析技术，得到散热结构参数与散热效率η的映射关系模型： ηfin表示鳍片效率，a2表示对流换热系数，tanh是双曲正切函数，Hfm表示鳍片高度，Sfm表示鳍片间距，Sopt表示鳍片最优间距，th表示鳍片厚度，λfin表示鳍片材料热导率，N表示鳍片数量；然后得到由散热结构参数组合和相对应的散热效率组成的散热结构参数与散热效率数据集； S5：通过大数据处理技术，对S4得到的多维度仿真数据集进行处理，得到数据处理后的散热结构设计仿真数据集，包括处理通过结果和处理异常结果，并将处理异常结果反馈至设计管理员； S6：通过大数据分析技术，对处理异常结果进行评估，根据异常评估结果反馈至设计管理员，进行人机交互。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人博衍科技(珠海)有限公司;梧州学院，其通讯地址为：519000 广东省珠海市横琴新区都会道522号2栋4202房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。