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浙江格源新材料科技有限公司曹伟获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江格源新材料科技有限公司申请的专利一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法及硅碳负极获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120348933B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510803853.7,技术领域涉及:C01B32/05;该发明授权一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法及硅碳负极是由曹伟;任天论;代志津;孙宁;徐泉设计研发完成,并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法及硅碳负极在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法及硅碳负极,所述制备方法包括以下步骤:(S1)将多孔碳浸渍于含光敏剂的C1‑C5卤代烃溶液中,得到负载卤代烃的多孔碳;(S2)将负载卤代烃的多孔碳于惰性气氛下进行光催化反应,经洗涤、干燥后得到改性多孔碳前体;(S3)将改性多孔碳前体于惰性气氛下进行热处理,得到基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳。本发明采用C1‑C5卤代烃通过卤素原子转移(XAT)反应在多孔碳的孔隙中引入碳自由基,然后通过热处理形成无定型碳填充在超微孔中,从而解决了超微孔无法利用带来的硅的有效沉积率低的问题以及不可逆嵌锂的问题,进而改善了硅碳负极的电化学性能。

本发明授权一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法及硅碳负极在权利要求书中公布了:1.一种基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: (S1)将多孔碳投入含光敏剂的C1-C5卤代烃溶液中浸渍,浸渍结束后过滤、洗涤、干燥,得到负载卤代烃的多孔碳;所述光敏剂为三2-苯基吡啶合铱、三联吡啶氯化钌、2,4,5,6-四9-咔唑基-间苯二腈中的至少一种; (S2)将负载卤代烃的多孔碳于惰性气氛下进行光催化反应,经洗涤、干燥后得到改性多孔碳前体;所述光催化反应的条件为:波长200~800nm、光强50~150mWcm²的光源于20~50℃下光照1~5h; (S3)将改性多孔碳前体于惰性气氛下进行热处理,得到基于光催化卤素原子转移的改性多孔碳;所述热处理的条件为:400~600℃保温1~5h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江格源新材料科技有限公司,其通讯地址为:324000 浙江省衢州市衢江区东港一路39号1幢2号、3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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