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龙图腾网获悉齐鲁理工学院申请的专利一种氧硫双空位修饰的SnO₂/SnS₂/C纳米材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120309007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510791210.5，技术领域涉及：C01G19/02；该发明授权一种氧硫双空位修饰的SnO₂/SnS₂/C纳米材料及其制备方法和应用是由孔震;张浩浩;安娟;庞明远;杨敏;范贵康;沈雨晴设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧硫双空位修饰的SnO₂/SnS₂/C纳米材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。将结构调控剂与锡盐混合，滴加碱液并搅拌，抽滤得到Sn6O4OH4；将葡萄糖和聚乙烯吡咯烷酮加入蒸馏水中，搅拌形成均一溶液，将Sn6O4OH4加入均一溶液中并搅拌，超声，水热反应得到SnO2glucose；将SnO2glucose与硫源在惰性气氛下煅烧得到氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料。本发明的SnO2SnS2C用于锂钠离子电池负极，能有效缓解锡基氧硫化物的体积膨胀，提高电极材料导电性，且表现出高充放电比容量、优异的倍率性能和大倍率长循环稳定性能。

本发明授权一种氧硫双空位修饰的SnO₂/SnS₂/C纳米材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料，其特征在于，所述氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料中SnO2具有氧空位、SnS2具有硫空位； 所述氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料由以下方法制备： （1）将结构调控剂与锡盐混合，然后滴加碱液并搅拌，抽滤后得到沉淀物，将沉淀物干燥得到具有八面体结构的锡氧化物纳米颗粒，即Sn6O4OH4；所述锡盐为SnCl2•2H2O或SnCl4•5H2O；所述结构调控剂为乙二胺或乙二醇；所述碱液为NaOH溶液，其浓度为0.12molL~0.17molL； （2）将葡萄糖和聚乙烯吡咯烷酮加入蒸馏水中，搅拌形成均一溶液，将Sn6O4OH4加入均一溶液中并搅拌，再进行超声处理，然后进行水热反应，洗涤干燥后得到葡萄糖包覆氧化锡纳米花球，即SnO2glucose；所述葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮和Sn6O4OH4的质量比为3~5：2~5：1~3；所述均一溶液中葡萄糖的浓度为0.01gmL； （3）将SnO2glucose与硫源混合，在惰性气氛下煅烧，冷却后得到氧硫双空位修饰的SnO2SnS2C纳米材料；所述硫源为硫粉、硫代乙酰胺或硫氢化钠；所述SnO2glucose和硫源的质量比为3：2；所述惰性气氛为氩气或氮气。

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