杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种VDMOS开关元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510668951.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种VDMOS开关元件及其制造方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VDMOS开关元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种VDMOS开关元件及其制造方法，包括金属漏极、金属源极、半导体外延层和栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、P阱层和N阱层，所述金属源极与N阱层之间设有连接层。本发明通过采用TiSi₂、CoSi₂或高掺杂多晶硅作为金属源极与N阱层之间的连接层材质，显著降低了界面接触电阻，这些材料具有优异的导电性和低界面势垒特性，能够实现高效的欧姆接触，减少载流子在界面处的散射和能量损耗，此设计直接抑制了因接触不良导致的焦耳热积累，从而有效降低了漏电流，同时提升了器件的导通效率和热稳定性。
本发明授权一种VDMOS开关元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS开关元件，包括金属漏极（1）、金属源极（2）、半导体外延层和栅极（3），所述半导体外延层包括N衬底层（4）、N漂移层（5）、P+层（6）、P阱层（7）和N阱层（8），所述P+层（6）的上端与金属源极（2）接触，所述P+层（6）的右端与P阱层（7）的左端接触，并且P阱层（7）的上端延伸至栅极（3）的下方，所述N阱层（8）位于P+层（6）和P阱层（7）之间的上方，其特征在于：所述金属源极（2）与N阱层（8）之间设有连接层（9）；其中连接层（9）与金属源极（2）欧姆接触，所述连接层（9）与N阱层（8）接触； 所述P阱层（7）的内部中心处通过离子注入形成有N掺杂层（12）。
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