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龙图腾网获悉甬矽电子(宁波)股份有限公司申请的专利堆叠封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510616485.5，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权堆叠封装结构及其制备方法是由何正鸿;钟磊;李利设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种堆叠封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该堆叠封装结构包括第一基板、第一芯片、第二基板和塑封层，第一芯片贴设在第一基板上；第二基板间隔设置在第一芯片远离第一基板的一侧，且第二基板靠近第一基板的一侧设置有结合焊球；塑封层设置在第一基板和第二基板之间；第一基板设置有第一凹槽，第二基板设置有第二凹槽。相较于现有技术，本发明通过额外设计第一凹槽和第二凹槽，一方面能够提升塑封层与第一基板和第二基板之间的结合力，减缓回流过程中第一基板和第二基板的翘曲现象，减少了焊球桥接或虚焊的现象。另一方面，能够提升塑封料的流动性，使得塑封料能够填充至第一基板和第二基板中心，填充效果更好。

本发明授权堆叠封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠封装结构，其特征在于，包括： 第一基板； 第一芯片，所述第一芯片贴设在所述第一基板上； 第二基板，所述第二基板间隔设置在所述第一芯片远离所述第一基板的一侧，且所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有结合焊球，所述结合焊球与所述第一基板连接； 塑封层，所述塑封层设置在所述第一基板和所述第二基板之间，并包覆在所述第一芯片和所述结合焊球外； 其中，所述结合焊球设置在所述第一芯片的至少两侧，所述第一基板靠近所述第二基板的一侧设置有第一凹槽，所述第二基板靠近所述第一基板的一侧设置有第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽均位于所述结合焊球远离所述第一芯片的一侧，所述塑封层填充至所述第一凹槽和所述第二凹槽； 所述第一基板包括组合线路层和第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述组合线路层的一侧，所述第一凹槽设置在所述第一阻焊层上，并贯穿所述第一阻焊层，以使所述塑封层与所述组合线路层接触；所述第二基板包括绝缘层、第二阻焊层和第三阻焊层，所述第二阻焊层设置在所述绝缘层靠近所述第一基板的一侧，所述第三阻焊层设置在所述绝缘层背离所述第一基板的一侧，所述第二凹槽设置在所述第二阻焊层上，并至少贯穿所述第二阻焊层； 所述第一凹槽为多个，所述第三阻焊层上还设置有贯通孔，所述贯通孔依次贯穿所述第三阻焊层、所述绝缘层和所述第二阻焊层，并与其中一个所述第一凹槽对应，所述塑封层填充延伸至所述贯通孔。

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