合肥安德科铭半导体科技有限公司张学奇获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥安德科铭半导体科技有限公司申请的专利一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120098028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510601028.9，技术领域涉及：C07F7/28；该发明授权一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法是由张学奇;唐超;李建恒;朱思坤设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法，属于半导体沉积材料技术领域。所述环戊二烯基金属前驱体的结构表示为RzCpMNRxRy3，其中，M选自Ti、Zr、Hf，Cp为环戊二烯基，R、Rx和Ry独立地选自C1‑C5的烷基，z为0‑5的整数；所述非均相合成方法包括以下步骤：将二烷基胺基锂、金属卤化物和非均相反应催化剂混合反应后，再加入环戊二烯单体进行反应。本申请通过引用特定的非均相反应催化剂并优化反应条件参数如原料当量比、物料添加顺序、反应温度和反应时间等，可有效提高反应产率和产品质量，很好地克服了传统多相合成路线中产率低、工艺不稳定的缺陷，可应用于环戊二烯基钛锆铪前驱体的工业化生产制造中。
本发明授权一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法在权利要求书中公布了：1.一种环戊二烯基金属前驱体的非均相合成方法，其特征在于，包括以下步骤：将二烷基胺基锂、金属卤化物和非均相反应催化剂混合反应后，再加入环戊二烯单体进行反应；所述非均相反应催化剂具有以下结构： 其中，R1为乙烯基，R2为苯甲基或苯乙基，R3为H，X为Cl或Br，n为0或1； 金属卤化物的结构表示为MY4，M选自Ti、Zr、Hf，Y代表卤素； 非均相反应催化剂用量占金属卤化物摩尔当量的0.1％-10％； 所述环戊二烯基金属前驱体的结构表示为RzCpMNRxRy3，其中，M选自Ti、Zr、Hf，Cp为环戊二烯基，R、Rx和Ry独立地选自C1-C5的烷基，z为0-5的整数。
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