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龙图腾网获悉深圳市道格特科技有限公司申请的专利MEMS模式晶圆及MEMS探针卡检测方法、装置、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510422181.5，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权MEMS模式晶圆及MEMS探针卡检测方法、装置、存储介质是由刘志华;韩伟;刘久源设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS模式晶圆及MEMS探针卡检测方法、装置、存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种MEMS模式晶圆及MEMS探针卡检测方法、装置、存储介质。检测方法应用于MEMS晶圆检测设备，包括：加载待测MEMS探针卡的测试配置参数；将待测MEMS探针卡固定在测试设备的探针座上；将与待测MEMS探针卡匹配的MEMS模式晶圆放置在测试设备的测试平台上的预设目标位置；MEMS模式晶圆中包括与待测MEMS探针卡对应的待测MEMS晶圆相同的测试点阵列；启动视觉对准系统，将待测MEMS探针卡与MEMS模式晶圆对齐；对待测MEMS探针卡进行校准；执行待测MEMS晶圆测试任务，对述待测MEMS探针卡进行检测。使用MEMS模式晶圆，自动化执行测试任务，实现MEMS探针卡的高效测试。

本发明授权MEMS模式晶圆及MEMS探针卡检测方法、装置、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种MEMS探针卡检测方法，其特征在于，应用于MEMS晶圆检测设备，所述方法包括： 加载待测MEMS探针卡的测试配置参数；所述测试配置参数包括测试类型、探针卡类型、晶圆类型和测试点位置； 将所述待测MEMS探针卡固定在测试设备的探针座上； 将与所述待测MEMS探针卡匹配的MEMS模式晶圆放置在测试设备的测试平台上的预设目标位置；所述MEMS模式晶圆中包括与所述待测MEMS探针卡对应的待测MEMS晶圆相同的几何形状、电气特性和测试点阵列，所述测试点包括标准焊盘、标准接触点和标准电阻网络； 启动视觉对准系统，将所述待测MEMS探针卡与所述MEMS模式晶圆对齐； 对所述待测MEMS探针卡进行校准； 基于所述测试配置参数，生成所述待测MEMS晶圆的测试任务；执行所述待测MEMS晶圆的测试任务，对所述待测MEMS探针卡进行检测，确定实际检测值，与信号预测值进行对比，确定所述待测MEMS探针卡的性能是否达到标准； 其中，所述MEMS模式晶圆包括若干晶粒，每个晶粒包含多个触点阵列，每个触点阵列包含多排排布相同的触点，且每排触点均与同一型号的待测MEMS晶圆的对应位置的触点排布相同，其中一排触点为校准用测试点；所述对所述待测MEMS探针卡进行校准，包括：以所述校准用测试点为接触点，通过校准任务对所述待测MEMS探针卡进行校准；所述校准任务包括压力校准、深度校准、电气性能校准和动态校准；所述动态校准包括模拟晶圆测试过程，动态测试探针在不同位置和状态下的稳定性； 或者， 所述MEMS模式晶圆包括若干晶粒，每个晶粒包含多个触点阵列，每个触点阵列包含多排触点，至少一排触点的排布与其它排不相同，且每排触点分别与至少两个不同型号的待测MEMS晶圆的对应位置的触点排布相同；所述执行所述待测MEMS晶圆测试任务，对所述待测MEMS探针卡进行检测，包括：针对每一型号的待测MEMS晶圆，执行对应的测试任务，对对应的所述待测MEMS探针卡进行检测；在完成检测后，更换另一型号的待测MEMS晶圆对应的所述待测MEMS探针卡进行检测，直至完成测试目标。

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