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龙图腾网获悉赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司申请的专利一种具有终接区和钝化层的半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510326903.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有终接区和钝化层的半导体器件及制备方法是由尼克·吉尔·施耐德;宝拉·迪亚兹·雷戈萨;托马索·斯泰科尼;拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有终接区和钝化层的半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有边缘终接区和钝化层的半导体器件及制备方法；包括基板，基板上端面设有漂移区；基板上端面上设有第一绝缘膜；基板上端面还设有多个保护环，各保护环深入到漂移区内，相邻两保护环通过第一绝缘膜分隔；第一绝缘膜和保护环上设有第二绝缘膜，第二绝缘膜上设有第二绝缘膜通孔，各第二绝缘膜通孔内壁与基板上端面夹角为锐角；各第二绝缘膜通孔内设有金属层；第二绝缘膜和金属层上设有第一钝化层；第一钝化层上设有第二钝化层；通过具有边缘终接区和钝化层的半导体器件结构的提出以解决现有结构的金属层上方的钝化层容易产生裂纹，由于湿度和其它污染可以渗透并腐蚀金属层，同时存在高电场来催化端子的破坏的技术问题。

本发明授权一种具有终接区和钝化层的半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有终接区和钝化层的半导体器件，其特征在于：包括 基板（1），基板（1）包括上端面和下端面，基板（1）上端面设有第一导电型的漂移区（2）； 基板（1）上端面上设有第一绝缘膜（4）；基板（1）上端面还设有多个第二导电类型的保护环（3），各保护环（3）深入到漂移区（2）内，相邻两保护环（3）通过第一绝缘膜（4）分隔，各保护环（3）上端面低于第一绝缘膜（4）上端面； 第一绝缘膜（4）和保护环（3）上设有第二绝缘膜（5），第二绝缘膜（5）上设有与各保护环（3）一一对应连通的第二绝缘膜通孔（51），各第二绝缘膜通孔（51）内壁与基板（1）上端面夹角为锐角； 各第二绝缘膜通孔（51）内设有金属层（6），位于第二绝缘膜通孔（51）内的金属层（6）的上端面低于第二绝缘膜（5）上端面； 第二绝缘膜（5）和金属层（6）上设有第一钝化层（7）； 第一钝化层（7）上设有第二钝化层（8）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司;瑞士半导体科技有限公司，其通讯地址为：314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。