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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中色创新研究院(天津)有限公司申请的专利一种钆镱钡铜氧超导膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510190785.1，技术领域涉及：H01B12/06；该发明授权一种钆镱钡铜氧超导膜及其制备方法与应用是由田玉伟;王维;信纪军;于名宇;伍淑俊;贺懿设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钆镱钡铜氧超导膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于高温超导材料领域，具体涉及一种钆镱钡铜氧超导膜及其制备方法与应用，制备方法步骤包括：S1，配制含有2‑噻吩甲酰三氟丙酮的溶液；S2，加入氧化钆、氧化镱与硝酸反应后得到含有硝酸钆、硝酸镱的混合溶液，将S1所得溶液与所述混合溶液混合，加入晶种反应，静置，分离干燥后得到钆镱配位络合物；S3，将S2所得钆镱配位络合物、钡源、铜源与溶剂混合，以氧气为氧源，在衬底表面上通过有机金属化学气相沉积法生长钆镱钡铜氧超导膜；硝酸钆与硝酸镱的摩尔比为0.7‑0.78:0.22‑0.3。本发明制备的钆镱配位络合物的挥发性好，热稳定性高；生成的薄膜的杂相与孔洞少，制得的薄膜表面光滑，在低温高场下的具有优异的电性能及磁场性能。

本发明授权一种钆镱钡铜氧超导膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种钆镱钡铜氧超导膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法步骤包括： S1，配制含有2-噻吩甲酰三氟丙酮的溶液； S2，加入氧化钆、氧化镱与硝酸反应后得到含有硝酸钆、硝酸镱的混合溶液，将S1所得溶液与所述混合溶液混合，加入晶种进行化学反应，静置，分离干燥后得到钆镱配位络合物； S3，将S2所得钆镱配位络合物、钡源、铜源与溶剂混合，以氧气为氧源，在衬底表面上通过有机金属化学气相沉积法生长钆镱钡铜氧超导膜； 其中，所述硝酸钆与硝酸镱的摩尔比为0.7-0.78:0.22-0.3； 所述晶种的具体制备步骤包括：在75-80℃下，硝酸钆与2-噻吩甲酰三氟丙酮配位反应得到晶种； 以理论计算合成钆镱配位络合物的质量计，所述晶种的质量为0.1-0.2wt%； 所述钆镱配位络合物中的钆元素和镱元素的总和、钡源中的钡元素、铜源中的铜元素的摩尔比为1:2-2.5:3-3.5； 所述钡源为BaTTA3Phen3； 所述铜源为CuTTA2。

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