西安电子科技大学贺怡获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510126904.7，技术领域涉及：H01Q1/52；该发明授权基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵是由贺怡;魏庚明;王少东;杨佳蔚;杨林设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵，包括：低频天线、高频天线、紧耦合缓冲层、侧反射板和金属地板；低频天线与高频天线布局在同一口径范围内，共同放置于金属地板之上；紧耦合缓冲层放置于低频天线上方且围绕高频天线，使二者在不同频段均保持紧耦合；侧反射板位于低频天线和高频天线之间。本发明通过在低频天线与高频天线之间加载紧耦合缓冲层，结合侧反射板、金属地板以实现低剖面化与跨频干扰抑制。
本发明授权基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵在权利要求书中公布了：1.一种基于紧耦合加载缓冲结构的低剖面双频共享口径天线阵，其特征在于，包括：低频天线1、高频天线2、紧耦合缓冲层3、侧反射板4和金属地板5； 所述低频天线1与高频天线2布局在同一口径范围内，共同放置于金属地板5之上； 所述紧耦合缓冲层3放置于低频天线1上方且围绕所述高频天线2，使二者在不同频段均保持紧耦合；所述紧耦合缓冲层3为一层导体复合结构，与高、低频天线保持紧密耦合；由四个L型直角金属结构组成，印刷在低频天线水平放置的介质板的上层； 所述侧反射板4位于低频天线1和高频天线2之间。
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