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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种高质量LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794513.4，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权一种高质量LED外延结构及其制备方法是由王文君;宋威姿;黎国昌;徐洋洋;闫晓东设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高质量LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种高质量LED外延结构及其制备方法，通过新型成核层的设计，能够形成低密度、高质量的晶核，在随后的高压粗化层形成的晶粒密度会更低，晶粒的尺寸也比较大。后续晶粒与晶粒之间愈合的时间就变长，晶粒愈合间界处的位错密度会降低。3D起振初始阶段掺入AL，可以一定程度上抑制PSS非C面上的GaN生长，提升晶格质量；在成核层、粗化层阶段，倾向于3D的生长模式，降低VIII比、提高压力，有利于晶核晶粒长大，减少晶核的密度，可以降低见面愈合处的位错密度。在恢复层生长阶段，倾向于2D3D混合的生长模式，升高温度、提高VIII比、降低压力有利于晶粒的愈合，使横向的生长速度大于垂直方向的生长速度。

本发明授权一种高质量LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量LED外延结构制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S01：提供一种衬底； S02：在衬底上沉积成核层，所述成核层结构包含低温缓冲层和高温停顿层； 所述低温缓冲层为非掺杂GaN层，单个循环生长厚度20Å~25Å，生长气氛为N2，设定200~400sccm，低温设定在800~850℃； 所述高温停顿层为非实际生长层，高温设定在880~950℃，生长气氛为N2、H2，N2设定200~400sccm，H2设定200~400sccm；高低温循环数设定在5~15次； S03：在所述的成核层上沉积粗化层，所述粗化层结构包含高压粗化层和掺Al粗化层； 所述高压粗化层为非实际生长层，高压设定300~400torr，生长气氛为N2、H2、NH3，N2设定150~300sccm，H2设定100~200sccm，NH3设定0~20sccm； 所述掺Al粗化层为低压Al掺杂GaN层，厚度为300~500nm，Al量5~20slm，低压设定150~250torr，生长气氛为N2、H2、NH3，N2设定150~300sccm，H2设定100~200sccm，NH3设定150~300sccm； S04：在所述的粗化层上沉积恢复层，总厚度为1500~2100nm，为非掺杂GaN层，生长气氛同掺Al粗化层； 所述恢复层结构包含恢复层1、恢复层2、恢复层3；厚度：恢复层2＜恢复层1＜恢复层3；温度：恢复层1＜恢复层2＜恢复层3；生长速率：恢复层1＜恢复层2＜恢复层3； S05：在恢复层上沉积非故意掺杂GaN层； S06：在非故意掺杂GaN层上沉积Si掺N-GaN层； S07：在N-GaN层上沉积MQW层； S08：在MQW层上沉积Al掺杂P-GaNEBL层； S09：在Al掺杂P_GaNEBL层上沉积高Mg掺杂P-GaN层。

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