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龙图腾网获悉中科汇珠(广州)半导体有限公司申请的专利一种石墨托盘、石墨托盘的制备方法以及外延生长设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119593059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411750026.8，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权一种石墨托盘、石墨托盘的制备方法以及外延生长设备是由杜凯;杨军伟;郭松波;宋华平设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种石墨托盘、石墨托盘的制备方法以及外延生长设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种石墨托盘、石墨托盘的制备方法以及外延生长设备，涉及半导体技术领域。所述石墨托盘呈圆形，且厚度均匀设置；其中，所述石墨托盘上表面粗糙度沿圆心朝向边缘位置处逐渐减小；或，所述石墨托盘上表面粗糙度沿圆心朝向边缘位置处逐渐增大。本申请通过控制石墨托盘上表面粗糙度的方式实现了对传热效果的控制，进一步在外延工艺过程中，调节了晶圆衬底沿直径方向上的温度均匀性，最终达到改善晶圆衬底面内沉积温度场分布，提高所形成的晶圆外延片的掺杂浓度均匀性，改善由于热应力产生的所形成的晶圆外延片翘曲问题。

本发明授权一种石墨托盘、石墨托盘的制备方法以及外延生长设备在权利要求书中公布了：1.一种石墨托盘，其特征在于， 所述石墨托盘1呈圆形，且厚度均匀设置； 所述石墨托盘1包括至少两个石墨圆环11，所述至少两个石墨圆环11环绕所述石墨托盘1圆心逐一同心嵌套设置； 其中，所述石墨托盘1上的晶圆衬底4在受热过程中，圆心处于高温，边缘位置处于低温，所述石墨托盘1上表面粗糙度沿圆心朝向边缘位置处逐渐减小； 位于最内侧的石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为1μm-500μm； 位于最外侧的石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为100nm-500nm； 位于所述最内侧石墨圆环11和最外侧石墨圆环11之间的所述石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为0.1μm-100μm； 或，所述石墨托盘1上的晶圆衬底4在受热过程中，圆心处于低温，边缘位置处于高温，所述石墨托盘1上表面粗糙度沿圆心朝向边缘位置处逐渐增大； 所述位于最外侧的石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为1μm-500μm； 所述位于最内侧的石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为100nm-500nm； 位于所述最内侧石墨圆环11和最外侧石墨圆环11之间的所述石墨圆环11的上表面粗糙度的轮廓纵坐标的均方根平均值为0.1μm-100μm。

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