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龙图腾网获悉无锡海古德新技术有限公司申请的专利一种高纯度碳化硅陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119462161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411614255.7，技术领域涉及：C04B35/575；该发明授权一种高纯度碳化硅陶瓷及其制备方法是由孙伟;李丽霞;陈家淦设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯度碳化硅陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷领域，具体涉及一种高纯度碳化硅陶瓷及其制备方法；包括以下步骤：将粉料加入球磨机中，加去离子水后搅拌、球磨，形成水基料浆；所述粉料由3种不同粒径的微米级α‑碳化硅粉、纳米级α‑碳化硅粉、聚乙二醇、聚乙烯醇组成；将所得的水基料浆进行喷雾造粒；将所得的造粒粉加入至振荡热压烧结炉中的石墨模具内，先预压，而后升温升压至设定的烧结温度和设定的烧结压力，进行振荡热压烧结，得高纯度碳化硅陶瓷。采用本发明的方法能够显著提升高纯碳化硅陶瓷的力学性能。

本发明授权一种高纯度碳化硅陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯度碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 1）料浆制备： 将粉料加入球磨机中，加去离子水后搅拌、球磨，形成水基料浆； 所述粉料由20~30份微米级α-碳化硅粉Ⅰ、30~40份微米级α-碳化硅粉Ⅱ、10~20份微米级α-碳化硅粉Ⅲ、20~40份纳米级α-碳化硅粉、2±0.1份聚乙二醇、1±0.1份聚乙烯醇组成； 微米级α-碳化硅粉Ⅰ的粒径为5~10μm，微米级α-碳化硅粉Ⅱ的粒径为1~4μm，微米级α-碳化硅粉Ⅲ的粒径为0.4~0.6μm，纳米级α-碳化硅粉的粒径为38~42nm； 微米级α-碳化硅粉Ⅰ、微米级α-碳化硅粉Ⅱ、微米级α-碳化硅粉Ⅲ的纯度≥99.99%； 纳米级α-碳化硅粉的纯度≥99.9%； 2）喷雾造粒： 将步骤1）所得的水基料浆进行喷雾造粒，制备获得球形造粒粉； 3）振荡热压烧结： 将步骤2）所得的造粒粉加入至振荡热压烧结炉中的石墨模具内，先于35~45MPa的压力下预压4~6min，而后升温升压至设定的烧结温度和设定的烧结压力，进行振荡热压烧结，得高纯度碳化硅陶瓷； 所述振荡热压烧结为： 先按照5~10℃min的升温速率升温至设定的烧结温度；升温过程中，外压力由起始压力均匀上升至设定的烧结压力；而后在设定的烧结温度、设定的烧结压力下振荡热压烧结50~70min； 所述设定的烧结温度1900℃~2200℃，起始压力为5~10MPa，设定的烧结压力为（20±5）~（40±5）MPa。

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