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龙图腾网获悉辽宁鸣舜科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223255528U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422588545.0，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型一种碳化硅晶体生长炉是由李晓峰设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体生长炉在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉，包括底座、生长室组件、上炉室炉盖组件、炉盖升降系统、坩埚升降出料系统、加热系统、真空系统以及C型臂；本实用新型涉及硅晶体生长炉技术领域，本实用新型采用简单的结构设计，降低了设备的复杂度，使得操作和维护更加简便，提高了生产效率。由于结构简单，生产成本相对较低，有利于企业降低生产成本，提高市场竞争力。具备下出料结构，减少了频繁开关炉盖的需求，降低了操作难度和安全隐患，提高了设备的安全性能。结构设计便于维修和保养，有利于设备长期稳定运行，降低了设备故障率。具备下出料功能，实现了坩埚的快速更换和取出，提高了生产效率。可以生产8寸的碳化硅晶体，扩大了设备的生产能力，满足了市场对大尺寸碳化硅晶体的需求。

本实用新型一种碳化硅晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长炉，其特征在于：包括底座1、生长室组件2、上炉室炉盖组件3、炉盖升降系统4、坩埚升降出料系统5、加热系统6、真空系统7以及C型臂8； 底座1：所述底座1分为上下两层框架结构，上层为水冷框架，下层为支撑框架； 生长室组件2：所述生长室组件2为石英管立式双层水冷结构，具有内部尺寸为Ф520㎜×1200㎜的空腔，所述生长室组件2设置于底座1的上层框架内； 上炉室炉盖组件3：所述上炉室炉盖组件3为一圆筒形立式双层水冷结构，具有内部尺寸为Ф538㎜×120㎜的空腔，其炉盖顶部设有红外测温仪接口，所述生长室组件2的上端与上炉室炉盖组件3连接； 炉盖升降系统4：所述炉盖升降系统4设置于底座1的上层框架上，且炉盖升降系统4与上炉室炉盖组件3相连接； 坩埚升降出料系统5：所述坩埚升降出料系统5设置于生长室组件2的底部； 加热系统6：所述加热系统6为感应加热装置，所述加热系统6设置于生长室组件2上； 真空系统7：所述真空系统7设置于底座1的下层框架上，所述真空系统7的测量接口与生长室组件2相连接； C型臂8：所述C型臂8设置于底座1的下层框架上，且C型臂8位于坩埚升降出料系统5的下方。

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