西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司王雷获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411083582.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质是由王雷;卢龙龙;杨震;王琳设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质，属于半导体制造技术领域。该方法可以包括：基于透射式光学检测方式检测出晶圆表面的缺陷；在检出的所有缺陷中，按照非针孔缺陷的缺陷特征数据生成屏蔽掩膜；将所述屏蔽掩膜覆盖的缺陷从所述检出的所有缺陷中去除后，获得待复查的缺陷；对所述待复查的缺陷进行复查，确定所述待复查的缺陷中是否存在针孔缺陷。通过本公开的技术方案缩短了透射式光学检测的时长，减少透射式光学检测方式检测针孔（pinhole）缺陷的产能浪费，提高设备稼动率。
本发明授权一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括： 基于透射式光学检测方式检测出晶圆表面的缺陷； 在检出的所有缺陷中，按照划痕缺陷的缺陷形貌特征数据生成屏蔽掩膜； 将所述屏蔽掩膜覆盖的缺陷从所述检出的所有缺陷的坐标中去除后，获得待复查的缺陷； 对所述待复查的缺陷进行复查，确定所述待复查的缺陷中是否存在针孔缺陷； 其中，所述按照划痕缺陷的缺陷形貌特征数据生成屏蔽掩膜，包括： 基于所述划痕缺陷对应的卡控策略，根据检出的所有缺陷的坐标以及描述信息获取划痕缺陷的缺陷特征，并根据缺陷特征设置所述划痕缺陷对应的屏蔽掩膜；其中，所述划痕缺陷对应的卡控策略包括：根据所有缺陷的坐标所确定的连续出现的缺陷数量大于数量阈值，且根据所述缺陷的坐标所确定的相邻缺陷之间的间距小于距离阈值，且根据所有缺陷的尺寸以及所述连续出现的缺陷数量所确定的所述连续出现的缺陷所占据的区域长宽比大于长宽比阈值；所述划痕缺陷的屏蔽掩膜是基于所述连续出现的缺陷的坐标形成的。
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