湖北九峰山实验室胡昌宇获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118783218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410757621.8，技术领域涉及：H01S3/00；该发明授权利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统是由胡昌宇;应豪;沈晓安;柳俊设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统在说明书摘要公布了：本发明提供利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统，能够实现无外加电源的自驱动，包括：压电摩擦纳米发电结构，包括静电材料、压电材料、连接于静电材料和压电材料之间充当平板电容的缓冲层、与静电材料连接的金属电极‑P电极、透明电极‑N电极、连接于压电材料和透明电极‑N电极之间的键合层；以及基于金属氧化物半导体电容器的微环调制器，包括与透明电极‑N电极远离中间压电材料一面连接的绝缘介质层、基于SOI衬底的脊形波导、与脊形波导连接的平板层硅重掺杂区；透明电极‑N电极同时作为微环调制器的上电极，平板层硅重掺杂区作为微环调制器的下电极；下电极连接一接触电极，接触电极为金属电极。
本发明授权利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统在权利要求书中公布了：1.利用压电效应提供驱动电压的MOSCAP调制器系统，其特征在于，能够实现无外加电源的自驱动，包括： 压电摩擦纳米发电结构PTENG，包括静电材料、压电材料、连接于静电材料和压电材料之间充当平板电容的缓冲层、与静电材料连接的金属电极-P电极、透明电极-N电极、连接于压电材料和透明电极-N电极之间的键合层；以及 基于金属氧化物半导体电容器的MOSCAP微环调制器，包括与透明电极-N电极远离中间压电材料一面连接的绝缘介质层、基于SOI衬底的脊形波导、与脊形波导连接的平板层硅重掺杂区； 所述透明电极-N电极同时作为微环调制器的上电极，透明电极材料通过沉积工艺沉积在绝缘介质层上，平板层硅重掺杂区作为微环调制器的下电极； 所述下电极连接一接触电极，所述接触电极为金属电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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