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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种硅片及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118366859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410401232.1，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种硅片及其加工方法是由王虎;孙林杉;顾长恒设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片及其加工方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅片及其加工方法。该硅片加工方法，包括：对待处理的硅片进行抛光处理；在抛光处理之后对硅片进行第一次退火处理；在第一次退火处理之后对硅片进行第二次退火处理；其中，第一次退火处理具有第一退火温度T1和第一退火时间t1，第二次退火处理具有第二退火温度T2和第二退火时间t2，满足：T1≥T2，t2≥t1。本申请通过在对硅片抛光后再进行两次退火处理，并满足：T1≥T2，t2≥t1，消除了硅片的原生氧沉淀，保障退火工艺过程中氧沉淀径向成核长大的均匀性，降低了第二次退火处理过程中硅片与碳化硅SiC舟舟齿接触位置的热应力影响，从而避免接触位置产生滑移线。

本发明授权一种硅片及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片加工方法，其特征在于，包括： 对待处理的硅片进行抛光处理； 在所述抛光处理之后对所述硅片进行第一次退火处理； 将第一退火炉按照第一降温速率V2由第一退火温度T1降温至第一待机温度T4，所述第一降温速率V2的范围为80～90℃s； 在所述第一次退火处理之后对所述硅片进行第二次退火处理； 其中，所述第一次退火处理具有第一退火温度T1和第一退火时间t1，所述第二次退火处理具有第二退火温度T2和第二退火时间t2，满足：T1≥T2，t2≥t1,所述第一退火温度T1的范围为1200～1300℃，所述第一退火时间t1的范围为5～15s；所述第二退火温度T2的范围为1000～1200℃，所述第二退火时间t2的范围为1～4h，以使所述硅片的晶向偏离度为0.15～0.45°，所述硅片在所述硅片与碳化硅舟舟齿接触位置无滑移线产生； 在所述第一次退火处理之后对所述硅片进行第二次退火处理，包括： 将第二退火炉按照第二升温速率V3由第二初始温度T5升温至第一温度T7，所述第二升温速率V3的范围为3～10℃min； 将第二退火炉按照第三升温速率V4由第一温度T7升温至第二温度T8，所述第三升温速率V4的范围为1～4℃min； 将第二退火炉按照第四升温速率V5由第二温度T8升温至第三温度T9，所述第四升温速率V5的范围为1.5～3℃min； 将第二退火炉按照第五升温速率V6由第三温度T9升温至第二退火温度T2以对所述硅片进行第二次退火处理，所述第五升温速率V6的范围为0.5～2℃min。

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