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龙图腾网获悉四川大学;清华大学申请的专利一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118184334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410293069.1，技术领域涉及：C04B35/453；该发明授权一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法是由孟鹏飞;殷越;何金良;胡军;郭敬科设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法，属于压敏电阻领域。本发明制备方法包括压敏电阻压片的原料配制，按照配比取各原料经过球磨混合、喷雾干燥压制成四棱柱胚体，然后进行烧结、磨片工艺得到压片成品。本发明压制成型工艺相较于传统圆柱胚体，使用现有磨片工艺打磨侧面，降低压敏电阻气孔率，均匀性增加，同时解决在涂覆高阻层与绝缘层时同一柱体上部比下部薄均匀性差的问题，大幅提高高阻层的均匀度；涂覆修复层代替传统高阻层工序，修复层体系中去掉了氧化硅、氧化锑等氧化物，降低了烧结过程中生成硅锌矿、锑酸锌等尖晶石物质的生成，使修复介质可以充分修复侧面晶粒与晶界，抑制了侧面闪络现象。

本发明授权一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高通流ZnO压敏电阻压片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S100压敏电阻压片的原料配制：所述压敏电阻压片由以下摩尔百分比的原料组成：氧化锌92.25～95.18％、氧化铋0.8～1.0％、氧化钴0.6～1.2％、二氧化锰0.5～1.0％、三氧化铬0.3～0.7％、三氧化二锑0.6～1.2％、二氧化硅0.8～1.5mol％、硝酸钇六水合物0.5～1.0％、硝酸镓九水合物0.3～0.7％、硝酸铟九水合物0.02～0.04％； S200压制成型：按照配比取各原料，经过球磨混合、喷雾干燥后的粉料，置于方形压片模具中，盖紧模具盖子，将粉料成型得到截面为正方形的四棱柱胚体； S300烧结：用高温电炉在封闭条件中烧结坯体，从室温升至400℃，升温时间10～15h，在280℃保持低温排胶5h，进而降温至室温，降温速度为15℃h； S400成片：从室温至900℃，升温时间9h，平均升温速度为100℃h；从900℃至1250℃，升温时间5h，平均升温速度为100℃h；在1250℃保温2～4h；自然降温，平均降温速度为100℃h，得到压敏电阻压片； S500磨片：通过立式磨片机对所述压敏电阻压片的四个侧面进行打磨，打磨深度1～2mm，得到压敏电阻压片成品； S600涂覆修复层：对步骤S500所得的压敏电阻压片成品的四个侧面涂覆修复层，对修复层进行烧结，然后再打磨所述压敏电阻压片成品的上下两个端面； 其中，所述修复层由以下摩尔百分比的原料组成，硝酸锌91.7～95.2％、硝酸铋3.5～6.5％、氧化钴0.5～1.5％、醋酸乙烯基锂0.1～0.3％。

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