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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利背接触太阳能电池、制备方法及电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248749B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410274595.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触太阳能电池、制备方法及电池组件是由胡匀匀;杨广涛;陈奕峰设计研发完成，并于2024-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池、制备方法及电池组件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背接触太阳能电池、制备方法及电池组件，属于晶体硅太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：半导体衬底，背光面包括沿第一方向交替排布的第一极性区和第二极性区；第一功能层，设置于第一极性区；第二功能层，设置于第二极性区；激光防护层，设置于第二功能层远离半导体衬底一侧，且暴露出第二功能层的电极接触区，激光防护层的材料包括激光吸收材料；第一电极结构，设置于第一功能层远离半导体衬底一侧；第二电极结构，设置于第二功能层远离半导体衬底一侧，且位于电极接触区。通过在功能层的外侧设有激光防护层，可以在激光开膜工艺中，保护第二功能层，避免异质结发生热衰减，提高电池的开路电压和光电转换效率。

本发明授权背接触太阳能电池、制备方法及电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 半导体衬底，具有相对的受光面和背光面，所述背光面包括沿第一方向交替排布的第一极性区和第二极性区； 第一功能层，设置于所述第一极性区，所述第一功能层包括沿远离所述半导体衬底方向层叠的第一钝化层和第一掺杂半导体层； 第二功能层，设置于所述第二极性区，所述第二功能层包括沿远离所述半导体衬底方向层叠的第二钝化层和第二掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层的掺杂类型和所述第二掺杂半导体层的掺杂类型相反； 激光防护层，设置于所述第二功能层远离所述半导体衬底一侧，且暴露出所述第二功能层的电极接触区，并与所述第二功能层刻蚀形成穿口暴露出所述第一功能层的电极接触区，所述激光防护层包括激光吸收层，所述激光吸收层的材料包括激光吸收材料；其中，所述激光吸收层对应电极接触区的部分通过激光烧蚀去除； 第一电极结构，设置于所述第一功能层远离所述半导体衬底一侧，且位于所述第一功能层的电极接触区； 第二电极结构，设置于所述第二功能层远离所述半导体衬底一侧，且位于所述第二功能层的所述电极接触区。

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