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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利材料生长参数的调整方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118155767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410254221.5，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权材料生长参数的调整方法及装置是由赵超;沈超;占文康;徐波;王占国设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本材料生长参数的调整方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提出一种材料生长参数的调整方法及装置，其中，方法包括：将已制备材料的历史生长过程中生长参数的第一参数值及已制备材料的表征结果，输入第一参数获取模型，以获取待制备材料生长时生长参数的初始参数值；在待制备材料在初始参数值对应的生长环境中生长的过程中，实时获取生长参数的第二参数值及待制备材料的原位表征数据；将第二参数值及原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取生长参数的预测结果；基于预测结果，对生长参数在目标时刻对应的参数值进行调整。不仅在材料生长前设定每个生长参数经过优化后的初始值，也在材料生长过程中对生长参数的值进行动态优化，有效提高材料生长质量和良品率。

本发明授权材料生长参数的调整方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种材料生长参数的调整方法，其特征在于，包括： 获取已制备材料的历史生长过程中各生长参数对应的第一参数值、及所述已制备材料对应的表征结果；其中，所述各生长参数包括材料衬底温度、衬底脱氧温度、衬底再构转变温度、In源炉温度和As针阀位置，所述表征结果为所述已制备材料在历史生长过程中的原位表征结果和异位表征结果，所述原位表征结果为所述已制备材料在历史生长过程中原位表征设备采集的数据，所述原位表征设备为反射高能电子衍射仪、和或四极质谱仪，所述异位表征结果为所述已制备材料的性能； 将所述各生长参数对应的第一参数值及所述表征结果，输入第一参数获取模型，以获取待制备材料生长时所述各生长参数对应的初始参数值，其中，所述待制备材料为的InAs量子点激光器；以及 在所述获取待制备材料生长时所述各生长参数对应的初始参数值之后，基于所述初始参数值，调整所述待制备材料的生长环境； 在所述待制备材料在所述初始参数值对应的生长环境中生长的过程中，实时获取所述各生长参数对应的第二参数值及所述待制备材料对应的原位表征数据； 将所述第二参数值及所述原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取所述各生长参数对应的预测结果；在所述第二参数获取模型为预测模型的情况下，将所述第二参数值及所述原位表征数据，输入第二参数获取模型中，以获取所述各生长参数在目标时刻对应的目标参数值，或者获取所述各生长参数对应的调整方向及调整速度； 在所述第二参数获取模型为判别模型的情况下，将所述原位表征数据，输入所述第二参数获取模型中，以获取所述各生长参数对应的调整方向及调整速度； 基于所述预测结果，对所述各生长参数在目标时刻对应的参数值进行调整； 将所述第二参数值及所述原位表征数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取所述各生长参数对应的预测结果，包括： 将当前时刻的第二参数值及前m个时刻的第二参数值进行拼接，以获取第一输入数据，将当前时刻的原位表征数据及前m个时刻的原位表征数据进行拼接，以获取第二输入数据，将所述第一输入数据及所述第二输入数据中的至少一项，输入第二参数获取模型中，以获取所述各生长参数对应的预测结果。

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