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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410231307.6，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权一种外延片及其制备方法是由王彦君;黄飞;杜飞;罗永恒;谢路肖;王洪朝;吴秀秀;陈海波设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：提供异质结外延层；在异质结外延层上形成帽层，得到外延片；帽层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，第一子层与异质结外延层贴合。本申请通过在异质结外延层上制备帽层，帽层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层；其中第一子层可以减小帽层中的镁原子向异质结外延层扩散；第二子层可以弥补第一子层在退火时镁原子的扩散损伤；因此，本申请通过将帽层设置为层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，可以有效改善目前常规帽层中镁原子扩散引起的二维电子气损伤问题，以及帽层中空穴浓度下降和不均匀的问题。

本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片制备方法，其特征在于，包括： 提供异质结外延层100； 在所述异质结外延层100上形成帽层200，得到外延片300； 所述帽层200包括依次层叠设置的第一子层201、第二子层202以及第三子层203，所述第一子层201与所述异质结外延层100贴合； 在所述异质结外延层100上形成帽层200，包括： 向反应腔内通入第一镓源和第一氮源，在所述异质结外延层100上生长氮化镓层； 关闭所述第一镓源，通入第一镁源对所述氮化镓层进行掺杂，在所述异质结外延层100上生长所述第一子层201，在所述生长所述第一子层201的过程中，所述第一镁源具有第一气流量Q1； 对所述第一子层201进行第一次退火处理； 同时向所述反应腔内通入第二镓源、第二氮源和第二镁源，在所述第一子层201上生长所述第二子层202，在所述生长所述第二子层202的过程中，所述第二镁源具有第二气流量Q2，满足：1≤Q2Q1≤2； 同时向所述反应腔内通入第三镓源、第三氮源和第三镁源，在所述第二子层202上生长所述第三子层203，在所述生长所述第三子层203的过程中，所述第三镁源具有第三气流量Q3，满足：0.5≤Q3Q1≤1.2。

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