桂林理工大学唐莹获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118184309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410144918.7，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法是由唐莹;杨阳;方维双;方亮;林慧兴;杨俊峰设计研发完成，并于2024-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法。将原料SrCO3和Ga2O3按照化学式为SrGa12O19的化学计量比配料，采用传统的高温固相合成法制备。本发明制备方法简单，制备得到的低介微波介质陶瓷材料的介电常数εr为14.0～15.5，品质因数Q×f为35000～115000GHz，谐振频率温度系数τf为+60.0ppm℃～+68.0ppm℃。
本发明授权一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有正谐振频率温度系数的低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述低介微波介质陶瓷由化学式为SrGa12O19的化合物制得，所述低介微波介质陶瓷的介电常数εr范围为14.0～15.5，品质因数Q×f的范围为35000～115000GHz，谐振频率温度系数τf为+60ppm℃～+68ppm℃，所述低介微波介质陶瓷的制备方法包括如下步骤： （1）称取SrCO3、Ga2O3的原料粉末并按照化学式为SrGa12O19的化学计量比进行配料，与分散介质混合均匀后进行第一次湿法球磨处理，再经烘干和预烧，制得预烧陶瓷粉体； （2）对步骤（1）中制得的所述预烧陶瓷粉体与分散介质混合均匀后进行第二次湿法球磨处理，烘干后加入粘合剂造粒，再经压片和烧结，制得所述低介微波介质陶瓷。
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