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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410054910.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法是由姚佳飞;刘宇遨;张鑫鹏;林琰琰;郭宇锋;杨可萌;李曼;张珺;陈静;张茂林设计研发完成，并于2024-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法，包括半导体漏区、半导体漂移区、以及由高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区形成的三沟槽结构；栅极沟槽区位于高K介质深槽区内部；源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；高K介质深槽区和源极沟槽区之间区域从上至下包含半导体源区、P型阱区和电流扩散层。本发明在开态时，高K介质深槽区能提高栅极氧化物电容，降低阈值电压，并且能提高漂移区掺杂浓度，从而使比导通电阻降低；电流扩散层减轻漂移区JFET效应；在关态时，高K介质深槽区调制漂移区电场，提高击穿电压；源极沟槽区平衡漂移区顶部电场分布，使栅极沟槽拐角处不易击穿，提高栅氧稳定性。

本发明授权集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：包括半导体漏区、半导体漂移区和三沟槽结构； 半导体漂移区叠设在半导体漏区顶部，半导体漏区底部沉积有漏端金属电极； 三沟槽结构包括高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区； 高K介质深槽区同轴开设在半导体漂移区的中心，且顶部从半导体漂移区顶面伸出；高K介质深槽区内填充有高K栅介质； 高K介质深槽区在半导体漂移区的开设深度大于半导体漂移区厚度的二分之一，但小于半导体漂移区厚度； 栅极沟槽区同轴开设在高K介质深槽区的顶部中心，且内部沉积有栅端金属电极； 源极沟槽区开设在半导体漂移区的顶部两侧，且顶部均从半导体漂移区顶面伸出，且与高K介质深槽区等高； 半导体源区、P型阱区和电流扩散层的总深度浅于栅极沟槽区和源极沟槽区； 源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；P型屏蔽区呈L型，外侧沉积有源端金属电极；P型重掺杂块布设在源端金属电极下方的P型屏蔽区的外缘处； 高K介质深槽区和源极沟槽区之间的半导体漂移区顶面上，从从下至上依次布设有电流扩散层、P型阱区和半导体源区； 源极沟槽区、栅极沟槽区和高K介质深槽区组合而成的三沟槽结构对器件漂移区和沟道同时进行调制，能够降低器件比导通电阻和阈值电压，使器件在最高FOM值下击穿电压提高至2611V，半导体漂移区的掺杂浓度不低于5×1015cm-3，比导通电阻达到1.36mΩ。

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