武汉敏声新技术有限公司孙博文获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏声新技术有限公司申请的专利一种谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117833859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410008162.3，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种谐振器及其制备方法是由孙博文;周杰;李习科;皮本松;蔡耀;孙成亮设计研发完成，并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，谐振器包括衬底以及依次层叠于衬底的底电极、压电层和顶电极，顶电极具有位于谐振器工作区域边缘的声反射部，声反射部朝向背离压电层的至少一侧拱起，以与压电层之间形成多个反射空腔，利用反射空腔的内空气和声反射部之间的声阻抗不匹配，从而对横向声波进行反射，以此，降低纵向能量的损耗，提高谐振器的Q值，并且由于声反射部朝向背离压电层的一侧拱起，所以，能够使得顶电极通过拱起的方式得到有效的延长，从而通过顶电极提高了器件的热稳定性，降低谐振器的温漂系数。
本发明授权一种谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于所述衬底的底电极、压电层和顶电极，所述顶电极具有位于所述谐振器工作区域边缘的声反射部，所述声反射部朝向背离所述压电层的至少一侧拱起，以与所述压电层之间形成多个反射空腔；在所述声反射部和所述压电层之间设置有至少一个绝缘隔离层； 所述反射空腔为所述至少部分顶电极、绝缘隔离层以及压电层构成的封闭区域； 所述声反射部包括第一声反射部，所述第一声反射部为拱形结构，所述绝缘隔离层位于所述第一声反射部远离所述工作区域中心的边缘端和所述压电层之间，所述绝缘隔离层位于所述第一声反射部的反射空腔远离所述工作区域的边界，以通过所述绝缘隔离层能够使得所述第一声反射部的落脚点不直接与所述压电层接触； 所述声反射部还包括第三声反射部，多个所述第三声反射部沿所述工作区域中心朝向边缘的方向依次排布，且多个所述第三声反射部的反射空腔沿排布方向的厚度逐渐增加。
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