福州大学杨黄浩获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料及其在高机密性X射线成像加密上的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117511545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311466202.0，技术领域涉及：C09K11/85；该发明授权一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料及其在高机密性X射线成像加密上的应用是由杨黄浩;杨志坚;啜文睿;张珍珍;陈小丰;陈秋水设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料及其在高机密性X射线成像加密上的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及光学成像领域中的X射线成像领域，具体涉及一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料、制备方法及其在高机密性X射线成像加密上的应用。首先将镧系掺杂的稀土氟化物纳米闪烁体NaLuF4Gd3+Ce3+与硅胶混合制备薄膜，信息通过X射线辐照后存储在膜中，解密通过涂覆一层钙钛矿并且80℃加热实现。本发明研究的镧系稀土长余辉纳米粒子具有肉眼无法察觉的纯紫外发光，可以实现高保密性X射线成像加密；由闪烁体纳米粒子制备的柔性记忆膜能够实现弯曲物体的三维加密，具有高分辨率和良好的回收性；同时通过本发明技术存储的加密信息可以安全的存储在膜中7天，并通过钙钛矿进行光学解码。
本发明授权一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料及其在高机密性X射线成像加密上的应用在权利要求书中公布了：1.一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料β-NaLuF4：x%Ln在制备高保密性X射线成像加密解密装置中的应用，其特征在于，将镧系掺杂的稀土氟化物纳米闪烁体β-NaLuF4：x%Ln与硅胶混合制备薄膜，作为信息存储膜，信息通过X射线辐照后存储在膜中，解密通过涂覆一层钙钛矿并且80℃加热实现；所述Ln为Gd；所述x%为掺杂的稀土离子掺杂量，x%为5%~30%。
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