上海电力大学韩文花获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉上海电力大学申请的专利一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117709054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311469579.1,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法是由韩文花;茹黎爽设计研发完成,并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法,包括以下步骤:对三维任意形状缺陷进行剖分,得到N×N个矩形槽单元磁偶极带;由各个磁偶极带形成缺陷的磁荷密度场,计算各个磁偶极带对应的磁荷密度值;消除表面泄漏对缺陷的磁荷密度场计算结果的影响,得到整个缺陷的磁荷密度场;结合单元磁偶极带叠加模型,在采样平面上各点处叠加N×N个磁偶极带的漏磁场,得到整个缺陷的漏磁场。与现有技术相比,本发明针对复杂缺陷漏磁信号中磁荷密度计算的复杂性问题,通过对缺陷的磁荷密度场进行离散化处理,每一个单元磁偶极带对应一个磁荷密度值,实现离散化磁荷密度场计算,不仅有效降低计算量,还能够快速、准确地计算出复杂缺陷的漏磁信号。
本发明授权一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法在权利要求书中公布了:1.一种基于离散化磁荷密度场计算的缺陷漏磁场检测方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、对三维任意形状缺陷进行剖分,得到N×N个矩形槽单元磁偶极带; S2、由各个磁偶极带形成缺陷的磁荷密度场,计算各个磁偶极带对应的磁荷密度值; S3、消除表面泄漏对缺陷的磁荷密度场计算结果的影响,得到整个缺陷的磁荷密度场; S4、结合单元磁偶极带叠加模型,在采样平面上各点处叠加N×N个磁偶极带的漏磁场,得到整个缺陷的漏磁场; 步骤S1中每个磁偶极带由其中心点代表,步骤S1的具体过程为: 将三维任意形状缺陷剖分成N×N个矩形槽单元磁偶极带,每个磁偶极带对应一个深度值,由此复杂缺陷的轮廓构成一个N×N的深度矩阵D: 各单元磁偶极带使用其中心点代替,同时,采样平面也相应划分为N×N个单元网格; 步骤S2具体是使用中心点坐标计算各个磁偶极带对应的磁荷密度值,步骤S2包括以下步骤: S21、将深度矩阵D由N×N的矩阵转化为1×N2的向量d; S22、设定磁化强度沿轴向方向,确定出单位向量的轴向分量Ix; S23、结合单位向量的轴向分量Ix,以及设定的施加给磁偶极带的磁化强度值,计算得到磁偶极带对应的磁荷密度值; 步骤S23中磁偶极带对应的磁荷密度计算公式为: δ'=IxMx 其中,x'm,y'm,z'm为第m个采样点坐标,dk为第k个磁偶极带的深度,m和k的取值区间为1~N2,M为施加的磁化强度; 步骤S4的具体过程为: 求取每个磁偶极带到各采样点的漏磁场,在采样平面上各点处叠加N×N个磁偶极带的漏磁场,即得到整个缺陷的漏磁场, 步骤S4中单元磁偶极带叠加模型为: 永磁体沿轴向方向对铁磁性试件进行磁化,漏磁场采样平面提离值为h,则采样平面上任意点P处的磁通密度径向分量BzP为: 其中,δij为磁偶极带Sij的磁荷密度,Vij为磁偶极带Sij的体积,μ0为磁导率,z'和zij分别为P和Sij的径向坐标,|P-Cij|为磁偶极带Sij的中心点Cij到采样点P的欧式距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海电力大学,其通讯地址为:201306 上海市浦东新区沪城环路1851号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。