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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利非易失性存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116916657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311113059.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权非易失性存储器件及其制备方法是由文才煥;朴鍾旻;金汉洙;高伟;申女设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种非易失性存储器件及其制备方法，其中制备方法包括：在部分衬底上形成第一栅氧化层；在其余衬底上形成第二栅氧化层；形成浮栅多晶硅层；形成介质层；形成控制栅多晶硅层；在衬底中形成重掺杂区；在部分浮栅多晶硅层上表面形成台阶；形成层间绝缘层；形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞。本申请通过在浮栅多晶硅层底部形成由第一栅氧化层和第二栅氧化层构成的组合氧化层结构，可以在形成接触孔时有效缓解刻蚀对浮栅多晶硅层底部的组合氧化层的损伤，改善了器件的电性能；此外，本申请形成并联的第一电容器、第二电容器和第三电容器，并且将第三电容器中的第二栅氧化层的厚度减薄，最大限度地增加了器件电容器的静电容量。

本发明授权非易失性存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层覆盖所述衬底； 在所述衬底上定义高压区和低压区，去除所述低压区的所述第一栅氧化层； 形成第二栅氧化层，所述第二栅氧化层覆盖所述低压区的衬底，其中，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度，并且所述第二栅氧化层的面积大于所述第一栅氧化层的面积； 形成浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层覆盖所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层； 形成介质层，所述介质层覆盖所述浮栅多晶硅层； 形成控制栅多晶硅层，所述控制栅多晶硅层覆盖所述介质层； 刻蚀所述高压区第一部分区域的所述控制栅多晶硅层、所述介质层、所述浮栅多晶硅层和所述第一栅氧化层以露出第一部分衬底，以及，刻蚀所述低压区部分区域的所述控制栅多晶硅层、所述介质层、所述浮栅多晶硅层和所述第二栅氧化层以露出第二部分衬底； 对所述第一部分衬底、所述第二部分衬底进行离子注入工艺，以对应形成多个重掺杂区； 刻蚀所述高压区第二部分区域的所述控制栅多晶硅层和所述介质层至所述浮栅多晶硅层上表面，以形成台阶； 形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述台阶、所述控制栅多晶硅层和所述重掺杂区；以及 形成第一导电插塞、第二导电插塞和多个第三导电插塞，所述第一导电插塞贯穿所述层间绝缘层并与所述台阶表面的所述浮栅多晶硅层连接，所述第二导电插塞贯穿所述层间绝缘层并与所述控制栅多晶硅层连接，至少一个所述第三导电插塞贯穿所述高压区的所述层间绝缘层并与所述重掺杂区连接；至少一个所述第三导电插塞贯穿所述低压区的所述层间绝缘层并与所述重掺杂区连接； 其中，所述重掺杂区、所述第一栅氧化层和所述浮栅多晶硅层构成第一电容器；所述浮栅多晶硅层、所述介质层和所述控制栅多晶硅层构成第二电容器；所述重掺杂区、所述第二栅氧化层和所述浮栅多晶硅层构成第三电容器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联和存储科技(江苏)有限公司，其通讯地址为：214125 江苏省无锡市经济开发区新园路富力中心C5-401-03；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。