无锡金源半导体科技有限公司崔仁权获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡金源半导体科技有限公司申请的专利一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116875960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311105579.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备是由崔仁权;李镐赞设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本申请涉及薄膜沉积领域，尤其涉及一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备。双通道喷淋装置，包括喷淋板，喷淋板上设置有若干喷淋孔；盖板，盖合于所述喷淋板上，并与喷淋板之间形成喷淋腔室；盖板内还设有加热件和匀气腔室，匀气腔室与喷淋腔室相通；第一进气管，与匀气腔室连通；第二进气管，与喷淋腔室连通。从第一进气管进入的反应气体流通到喷淋腔室的边缘，从第二进气管进入的反应气体流通到喷淋腔室的中部，从而使喷淋腔室喷出的气体均匀分散到晶圆上。
本发明授权一种双通道喷淋装置及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种双通道喷淋装置，其特征在于，包括： 喷淋板1，所述喷淋板1上设置有若干喷淋孔12； 盖板2，盖合于所述喷淋板1上，并与所述喷淋板1之间形成喷淋腔室11；所述盖板2内还设有加热件31和匀气腔室41，所述匀气腔室41与所述喷淋腔室11相通； 所述盖板2包括相互叠合的加热板3和匀气板4，所述加热件31安装在加热板3内，所述匀气腔室41形成于加热板3与匀气板4之间； 第一进气管21，所述加热板3上开设有第一通孔34和第二通孔35，所述第一进气管21的端部穿过所述第一通孔34并与所述匀气腔室41连通； 第二进气管22，所述匀气板4的中部开设有第三通孔42，所述第二通孔35和所述第三通孔42串通，所述第二进气管22的端部穿过第二通孔35和第三通孔42并与所述喷淋腔室11的中部连通； 其中，所述匀气板4上还开设有匀气孔413，所述匀气孔413位于所述第三通孔42的外侧，所述匀气孔413与所述喷淋腔室11连通。
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