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黑龙江大学高扬获国家专利权

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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利基于金纳米阵列的太阳能吸收器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116839236B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311004444.8,技术领域涉及:G02B5/00;该发明授权基于金纳米阵列的太阳能吸收器是由高扬;苏丽晶;周亚新;聂思函;李鑫;孙鹏飞设计研发完成,并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

基于金纳米阵列的太阳能吸收器在说明书摘要公布了:本发明基于金纳米阵列的太阳能吸收器属于微纳光电子技术领域;由金纳米单元在XOY平面周期排列构成,太阳光以平面波形式入射,每个所述金纳米单元由下到上依次为基底层、分布式布拉格反射镜层、二维材料层和天线层;所述分布式布拉格反射镜层包括五层分布式布拉格反射镜DBR;所述基底层、分布式布拉格反射镜层和二维材料层在XOY平面上的投影重合,且为正方形,天线层在XOY平面上的投影为圆形,所述正方形和所述圆形同心;本发明结构简单,在400nm‑700nm的可见光范围内的平均吸收率为80%,且不受光源的偏振情况影响,在0°~60°入射角范围内都有较好的吸收效果。

本发明授权基于金纳米阵列的太阳能吸收器在权利要求书中公布了:1.基于金纳米阵列的太阳能吸收器,由金纳米单元在XOY平面周期排列构成,太阳光以平面波形式入射,其特征在于,每个所述金纳米单元由下到上依次为基底层1、分布式布拉格反射镜层2、二维材料层3和天线层4;所述分布式布拉格反射镜层2包括五层分布式布拉格反射镜DBR;所述基底层1、分布式布拉格反射镜层2和二维材料层3在XOY平面上的投影重合,且为正方形,天线层4在XOY平面上的投影为圆形,所述正方形和所述圆形同心; 所述基底层1为Si材料,所述分布式布拉格反射镜DBR由下到上依次为Al2O3材料层2-1和Si材料层2-2,所述二维材料层3为PtS2二维材料,所述天线层4为Au材料;所述天线层4的尺寸为直径0.08μm×0.7μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人黑龙江大学,其通讯地址为:150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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