江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司郭轲科获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司申请的专利一种闪耀光栅及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117031598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310925140.9，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种闪耀光栅及其制备方法是由郭轲科;林政勋设计研发完成，并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种闪耀光栅及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪耀光栅及其制备方法，所述制备方法包括：在目标衬底上沉积厚度均匀的二氧化钛光学薄膜；在所述二氧化钛光学薄膜上通过涂布工艺旋涂压印胶；对压印胶进行压印进行图形化；选择与目标衬底刻蚀二氧化钛光学薄膜匹配的电感耦合等离子刻蚀参数；所述电感耦合等离子刻蚀参数用于通过刻蚀工艺在目标衬底上刻蚀二氧化钛光学薄膜得到对应的闪耀光栅；基于所述电感耦合等离子刻蚀参数，采用对应的电感耦合等离子刻蚀工艺将纳米压印后的图形进行转移，从而在目标衬底上刻蚀二氧化钛光学薄膜得到对应的闪耀光栅。本发明通过制备工艺的设计和参数的优化，制备出粗糙度低、线密度高、图形保真性好、闪耀角一致性好、均匀性高的闪耀光栅。
本发明授权一种闪耀光栅及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪耀光栅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在目标衬底上沉积厚度均匀的二氧化钛光学薄膜； 在所述二氧化钛光学薄膜上通过涂布工艺旋涂压印胶； 对压印胶进行压印进行图形化，形成掩膜层； 选择与目标衬底刻蚀二氧化钛光学薄膜匹配的电感耦合等离子刻蚀参数；其中，所述电感耦合等离子刻蚀参数用于通过刻蚀工艺在目标衬底上刻蚀二氧化钛光学薄膜得到对应的闪耀光栅； 基于所述电感耦合等离子刻蚀参数，采用对应的电感耦合等离子刻蚀工艺将纳米压印后的图形进行转移，从而在目标衬底上刻蚀二氧化钛光学薄膜得到对应的闪耀光栅； 所述掩膜层的材料与TiO2光学薄膜的刻蚀选择比为1:1，实现对闪耀角的精确控制。
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