北京世纪金光半导体有限公司邱艳丽获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京世纪金光半导体有限公司申请的专利一种SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310565977.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法是由邱艳丽;孙博韬;徐妙玲;林信南;张晨;修德琦;韩丽楠设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SiCMOSFET器件及其制备方法，该SiCMOSFET器件通过在漂移区形成多个间隔排布的反型注入区，使任相邻两个反型注入区和介于该相邻两个反型注入区之间的漂移区构成JFET区，即JFET区向衬底方向延伸，从而使最大电场位置远离器件表面而向漂移区内部转移，还使得最大电场位置和最大电流密度集中的沟道区域相分离，且漂移区电流密度分布更加均匀，因此，器件在短路后的热点不再集中于沟道附近的器件表面，而是更靠近衬底，且更均匀地分布在漂移区，以减少栅氧化层和栅极金属熔化的失效概率，延迟热逃逸发生时间，降低热点温度，提高器件抗短路耐受能力，增大器件短路耐受时间。
本发明授权一种SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET器件，其特征在于，包括： SiC衬底； 位于所述SiC衬底一侧的第一漂移区，所述SiC衬底和所述第一漂移区均为第一型掺杂； 位于所述第一漂移区背离所述SiC衬底一侧、沿第一方向间隔排布的阱区，所述阱区为第二型掺杂，所述阱区内设置源区，所述源区为所述第一型掺杂，所述第一方向平行于所述SiC衬底所在平面； 所述第一漂移区包括介于相邻两个所述阱区之间的第一区域和位于所述第一区域及所述阱区靠近所述SiC衬底一侧的第二区域，所述第二区域设置有多个沿所述第一方向间隔排布的反型注入区，所述反型注入区为第二型掺杂； 位于所述第一漂移区背离所述SiC衬底一侧的栅氧化层、栅极、隔离介质层和源极，以及位于所述SiC衬底背离所述第一漂移区一侧的漏极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京世纪金光半导体有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号