买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116386741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310426655.4，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法是由朱政羲;苗龙;杨统勋设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法，包括：通过实验测量获得加速栅极下游的单孔束流大小；选取一对屏栅、加速栅孔作为数值仿真研究的对象；根据束流电流和屏栅极上游等离子体密度的关系，获取初始的屏栅上游等离子体密度；根据上游等离子体密度计算获得德拜长度，并选取仿真网格的尺寸；根据中性气体碰撞模型，获得仿真区域内每个网格节点上中性气体密度；建立栅极腐蚀形貌演化模型，开始束流计算，仿真得到单孔束流大小，通过实验值进行反馈调节，确定最终的上游离子密度；处理离子与栅极的碰撞过程，开始腐蚀计算，获得栅极准确腐蚀速率；基于腐蚀速率减小网格质量，消去网格节点，实现栅极形貌的改变。

本发明授权一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法在权利要求书中公布了：1.一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：通过实验测量，获得加速栅极下游的单孔束流大小； S2：对选取的屏栅、加速栅孔所在的圆柱形区域进行数值仿真，获得轴对称计算域； S3：在所述轴对称计算域中，根据束流电流和屏栅极上游等离子体密度的关系，获得初始的屏栅上游等离子体密度； S4：根据屏栅上游等离子体密度，获得德拜长度，基于德拜长度，获得仿真网格的尺寸； S5：根据中性气体碰撞模型，获得仿真区域内每个网格节点上中性气体密度； S6：建立栅极腐蚀形貌演化模型，基于所述栅极腐蚀形貌演化模型，开始束流计算，仿真得到单孔束流大小；基于仿真得到的单孔束流大小和所述S1中，通过实验测量获得的单孔束流大小，对初始的屏栅上游等离子体密度进行反馈调节，获得最终的屏栅上游等离子体密度； S7：处理离子与栅极的碰撞过程，生成电荷交换离子；基于所述电荷交换离子，开始腐蚀计算，并采用栅极质心和重心对于离子碰撞角度进行修正，获得栅极腐蚀速率； S8：基于所述栅极腐蚀速率减小网格质量，当网格质量满足预设要求时，消去网格节点，实现栅极形貌的改变。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学，其通讯地址为：100081 北京市海淀区中关村南大街5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。