中国电子科技集团公司第五十八研究所张世琳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116340256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310323805.9，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列是由张世琳;张国贤;吕广维;徐晓斌;王星;赵霁设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及存内计算技术领域，特别涉及一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列，存内计算单元包括DICE结构存储单元；读访问电路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6组成；读访问电路D，由MOS管M7、MOS管M8和MOS管M9组成。存内计算阵列包括一行基于DICE结构的标准存储单元、n行m列的所述存内计算单元和m个复用的逻辑运算单元；所述逻辑运算单元还包括四个MOS管MM1、MM2、MM3、MM4。本发明的存内计算单元能够增加单元的稳定性、降低读写干扰的影响，进而提升计算的稳定性，此外通过控制实现两种不同逻辑运算，增加运算功能丰富性。
本发明授权一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元以及阵列在权利要求书中公布了：1.一种基于DICE结构SRAM的存内计算单元，其特征在于，包括： DICE结构存储单元； 读访问电路C，由MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6组成；其中MOS管M6作为所述读访问电路C的访问管，通过连接在栅极的字线RWL_C来使能所述DICE结构存储单元的数据输出，漏极连接MOS管M4和MOS管M5的源极；其中MOS管M4和MOS管M5的栅极连接在所述DICE结构存储单元的QA和QB节点处，其漏极分别作为存内计算单元输出的读出信号线BLC和BLCB； 读访问电路D，由MOS管M7、MOS管M8和MOS管M9组成；其中MOS管M9作为读访问电路D的访问管，通过连接在栅极的字线RWL_D来使能所述DICE结构存储单元的数据输出，漏极连接MOS管M7和MOS管M8的源极；其中MOS管M7和MOS管M8的栅极连接在所述DICE结构存储单元的QC和QD节点处，其漏极分别作为存内计算单元输出的读出信号线BLD和BLDB。
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