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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种WTe₂电极单分子测试芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116124838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310107993.1，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权一种WTe₂电极单分子测试芯片及其制备方法是由洪文晶;林荣健;刘俊扬;卢至行;郑珏婷设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种WTe₂电极单分子测试芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种WTe2电极单分子测试芯片及其制备方法，包括以下步骤：对所述电极图案进行磁控溅射镀金属钨，使金属钨覆盖所述电极图案形成金属钨薄膜，洗去光刻胶，得到与所述电极图案相对应的金属钨电极；将所述金属钨电极进行高温热氧化生成电极图案化的氧化钨，加入碲粉，在载气和还原气体的作用下对所述电极图案化的氧化钨进行高温碲化生成电极图案化的1T'‑WTe2；中间位置进行切削形成对尖结构，得到1T'‑WTe2电极；使所述对尖结构悬空，得到电极图案化的1T'‑WTe2电极单分子芯片。

本发明授权一种WTe₂电极单分子测试芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种WTe2电极单分子测试芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 以双面抛光的钼片作为基底，超声清洗后烘干； 在钼片的上表面通过等离子体增强化学气相沉积生长氧化硅层； 在所述氧化硅层的上表面旋涂光刻胶并烘干； 对所述光刻胶进行掩膜光刻、显影，从而在所述光刻胶显影出与掩膜模版相对应的电极图案，所述掩膜模版包括左右对称设置的导电外接电路区域模版，以及连接于所述导电外接电路区域之间的导线模版； 对所述电极图案进行磁控溅射镀金属钨，使金属钨覆盖所述电极图案形成金属钨薄膜，洗去光刻胶，得到与所述电极图案相对应的金属钨电极； 将所述金属钨电极进行高温热氧化生成电极图案化的氧化钨，加入碲粉，在载气和还原气体的作用下所述电极图案化的氧化钨进行高温碲化生成电极图案化的1T'-WTe2； 利用FIB对所述电极图案化的1T'-WTe2对应所述导线模版的中间位置进行切削形成对尖结构，得到1T'-WTe2电极； 通过湿法腐蚀所述对尖结构附近的氧化硅层，使所述对尖结构悬空，得到电极图案化的1T'-WTe2电极单分子芯片； SiH4和O2作为反应气体进行等离子体增强化学气相沉积生长氧化硅层，和或，所述氧化硅层的厚度为1-3um； 所述光刻胶采用正性光刻胶； 所述对所述光刻胶进行掩膜光刻、显影包括： 对所述正性光刻胶根据所述掩膜模版进行第一次紫外曝光，光解反应产生羧酸； 高温下使所述羧酸促进所述正性光刻胶中第一次紫外曝光的区域的树脂发生交联反应，使所述正性光刻胶中紫外曝光的区域不可溶于碱性显影液中； 取下所述掩膜模版进行第二次紫外曝光，未第一次紫外曝光的区域产生羧酸，显影后溶于碱性显影液中得到与所述掩膜模版相同的图形；两次紫外曝光得到倒梯形的胶形貌进行光刻。

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