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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于TFET的单边沿主从触发器及触发模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116346088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310216710.7，技术领域涉及：H03K3/012；该发明授权一种基于TFET的单边沿主从触发器及触发模块是由卢文娟;张颖;吴秀龙;高珊;黎轩;彭春雨;蔺智挺设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TFET的单边沿主从触发器及触发模块在说明书摘要公布了：本发明涉及动态随机存取存储技术领域，更具体的，涉及一种基于TFET的单边沿主从触发器，又称为TDFF，以及基于该TDFF设计的触发模块。本发明的TDFF包括12个PTFET晶体管、13个NTFET晶体管、一个反相器INV。本发明基于TFET构建触发器，没有使用传输门或传输管结构，进而避免了传输门引起的正偏P‑I‑N电流问题，而是通过中间节点和时钟信号CLK来控制数据的正确传输。本发明的CLK虽然为单相时钟，但配合TFET晶体管的电路设计，无需对CLK设置时钟反相器也能实现触发器功能。并且经过仿真测试，本发明的功耗指标低，具有较大的较大优势。

本发明授权一种基于TFET的单边沿主从触发器及触发模块在权利要求书中公布了：1.一种基于TFET的单边沿主从触发器，其特征在于，包括： 反向器INV，其输入端连接输入信号D，输出端连接反相信号DB； PTFET晶体管P1，其源极连接电源VDD，栅极连接时钟信号CLK； PTFET晶体管P2，其源极连接P1的漏极，栅极连接输入信号D； PTFET晶体管P3，其源极连接电源VDD，栅极连接反相信号DB； PTFET晶体管P4，其源极连接P3的漏极，栅极连接时钟信号CLK； PTFET晶体管P5，其源极连接电源VDD，栅极连接P2的漏极并设置有中间节点DN； NTFET晶体管N1，其漏极连接P2的漏极，栅极连接P4的漏极并设置有中间节点A； NTFET晶体管N2，其源极接地GND，栅极连接输入信号D，漏极连接N1的源极； NTFET晶体管N3，其漏极连接P4的漏极，栅极连接反相信号DB； NTFET晶体管N4，其源极接地GND，栅极连接时钟信号CLK，漏极连接N3的源极； NTFET晶体管N5，其源极连接N4的漏极，栅极连接P5的漏极并设置有中间节点B，漏极连接P5的栅极并设置有中间节点DN； PTFET晶体管P6，其源极连接电源VDD，栅极连接时钟信号CLK； PTFET晶体管P7，其源极连接电源VDD，栅极连接中间节点A； PTFET晶体管P8，其源极连接P7的漏极，栅极连接中间节点B； PTFET晶体管P9，其源极连接电源VDD，栅极连接P6的漏极并设置有中间节点C； PTFET晶体管P10，其源极连接电源VDD，栅极连接时钟信号CLK； PTFET晶体管P11，其源极连接P10的漏极，漏极连接P9的漏极并设置有输出节点Q； PTFET晶体管P12，其源极连接电源VDD，栅极连接P9的漏极； NTFET晶体管N6，其源极接地GND，栅极连接P5的栅极，漏极连接P5的漏极； NTFET晶体管N7，其源极连接N4的漏极，栅极连接N6的栅极，漏极连接P5的漏极； NTFET晶体管N8，其漏极连接P6的漏极，栅极连接时钟信号CLK； NTFET晶体管N9，其源极接地GND，栅极连接中间节点B，漏极连接N8的源极； NTFET晶体管N10，其漏极连接P9的漏极，栅极连接时钟信号CLK； NTFET晶体管N11，其源极接地GND，栅极连接P9的栅极，漏极连接N10的源极； NTFET晶体管N12，其源极连接N11的漏极，栅极连接P11的栅极，漏极连接P11的漏极；以及 NTFET晶体管N13，其源极接地GND，栅极连接P12的栅极并设置有中间节点QN，漏极连接P12的漏极。

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