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龙图腾网获悉上海航天电子通讯设备研究所申请的专利一种ABF膜高密度基板布线制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175685.2，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种ABF膜高密度基板布线制造方法是由丁蕾;罗江波;陈靖;孙斌;麻仕豪;陈凯设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ABF膜高密度基板布线制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ABF膜高密度基板布线制造方法，包括以下步骤：在衬底基板边缘的两侧分别形成激光通孔定位标记和布线光刻定位标记；利用布线光刻定位标记，在衬底上制备第一层薄膜布线层；将裁剪后的ABF膜真空层压到第一层薄膜布线层上，并进行固化；利用布线光刻定位标记，在ABF膜表面光刻出通孔掩膜；利用激光通孔定位标记和通孔掩膜进行双重精准定位，进行激光钻孔，形成布线通孔；利用布线光刻定位标记，在ABF膜上制备第二层薄膜布线层。该制造方法利用真空层压工艺，改变了原PCB板的层压板级工艺中的工艺复杂、尺寸结构受限的问题；同时利用激光标记以及通孔掩膜双重精准定位，可实现层间的可靠互连，从而满足ABF膜高密度的薄膜布线互连。

本发明授权一种ABF膜高密度基板布线制造方法在权利要求书中公布了：1.一种ABF膜高密度基板布线制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底基板边缘的两侧均进行激光打标，分别形成激光通孔定位标记和布线光刻定位标记； S2：利用所述布线光刻定位标记，采用薄膜工艺在所述步骤S1的衬底上制备第一层薄膜布线层； S3：裁剪ABF膜，将裁剪后的ABF膜真空层压到第一层薄膜布线层上，并进行固化； S4：利用所述布线光刻定位标记，在所述步骤S3的ABF膜表面光刻出通孔掩膜； S5：利用所述激光通孔定位标记和通孔掩膜进行双重精准定位，进行激光钻孔，形成布线通孔； S6：利用所述布线光刻定位标记，采用薄膜工艺在所述步骤S5的ABF膜上制备第二层薄膜布线层； S7：重复S3-S6的步骤，制备出第三层及以上的薄膜布线层，得到所述的ABF膜高密度基板布线； 其中，所述步骤S2中的薄膜工艺具体包括： S201：在所述步骤S1的衬底上溅射第一层复合薄膜粘附层； S202：利用所述布线光刻定位标记，在所述第一层复合薄膜粘附层之上进行光刻，形成第一层复合薄膜光刻掩膜； S203：图形电镀第一层金属导电层； S204：去胶、湿法腐蚀，将裸露表面的第一层复合薄膜粘附层去除，形成第一层薄膜布线层。

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