浙江大学陈芳获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116296667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310176345.1，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法是由陈芳;县维鹏;庄锦;孙琦设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法，包括以下步骤：（一）预制折断槽；（二）表面修饰；（三）贴合；（四）断裂。本发明以单抛单晶硅片作为COFs膜的支撑载体，将COFs膜转移到单抛单晶硅片上，使膜和单抛单晶硅片紧密贴合，利用单抛单晶硅片的单晶解理断裂机制（在外力作用下沿111晶面发生解理断裂）带动COFs膜的断裂，从而以获得大范围的平整的膜截面区域，同时便于COFs膜平整地转移到SEM截面台上。
本发明授权一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑离子型COFs膜截面制样方法，其特征在于，包括以下步骤： （一）预制折断槽 取一矩形单抛单晶硅片，在单抛单晶硅片背面间隔设置若干折断槽，所述折断槽与单抛单晶硅片的解理面平行； （二）表面修饰 （1）将步骤（一）中的单抛单晶硅片，用去离子水、乙酸乙酯及乙醇连续冲洗后，静置风干； （2）将步骤（1）中的单抛单晶硅片置于浓硫酸和过氧化氢的混合溶液中，加热后冷却，取出单抛单晶硅片，用去离子水洗净，静置风干； （3）将步骤（2）中的单抛单晶硅片置于3-氨丙基三甲氧基硅烷的丙酮溶液中，在惰性气体氛围下浸泡后取出，依次用去离子水、乙醇洗涤，干燥，即得表面修饰的单抛单晶硅片； （三）贴合 将洗净后的COFs膜浸泡在液体介质中，用步骤（3）得到的单抛单晶硅片正面朝上，使COFs膜与单抛单晶硅片正面贴合后将COFs膜从溶剂中捞出，干燥； （四）断裂 将步骤（三）中得到的单抛单晶硅片正面朝上，用受力物抵在折断槽内后，下压该折断槽两侧的单抛单晶硅片，使单抛单晶硅片与COFs膜共同沿该折断槽断裂，按此操作即可得到矩形的COFs膜截面样品。
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