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沈阳工业大学董志鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种基准电压可调的带隙基准电压源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116560441B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310136997.2,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种基准电压可调的带隙基准电压源是由董志鹏;任建;何炳辉;刘松睿;袁申;辛晓宁;刘斌;姜龙设计研发完成,并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基准电压可调的带隙基准电压源在说明书摘要公布了:本发明提供了一种基准电压可调的带隙基准电压源,包括第一部分电路、第二部分电路以及第三部分电路;第一部分电路与第二部分电路之间相连接,第二部分电路端与第三部分电路之间相连接,且第一部分电路与第二部分电路呈镜像对称结构,第一部分电路包括:第一开关级电路、第二开关级电路、第三开关级电路、第四开关级电路、镜像开关级电路和串联的NMOS管电路;第一开关级电路的漏端与镜像开关级电路的漏端相连,能够解决现有的带隙基准电压源虚通过放大器作为电压耦合的器件,进行电机调节,进而需要顾及环路的稳定性,导致电路的抗干扰能力弱,是的电路的设计周期较长的问题。

本发明授权一种基准电压可调的带隙基准电压源在权利要求书中公布了:1.一种基准电压可调的带隙基准电压源,其特征在于,包括第一部分电路、第二部分电路以及第三部分电路; 第一部分电路与第二部分电路之间相连接,第二部分电路端与第三部分电路之间相连接; 第一部分电路包括:第一开关级电路、第二开关级电路、第三开关级电路、第四开关级电路、镜像开关级电路和串联的NMOS管电路; 第一开关级电路的漏端与镜像开关级电路的漏端相连,串联的NMOS管电路与第二开关级电路的漏端相连,第三开关级电路的漏端与串联的NMOS管电路的另一端相连,第四开关级电路的栅段与第三开关级电路的漏端相连; 第一开关级电路包括PMOS晶体管M6和PMOS晶体管M7; PMOS晶体管M6的源极接VDD,PMOS晶体管M6的栅极接启动电压ENE,PMOS晶体管M6的漏极接VBP1,PMOS晶体管M7的源极接VDD,PMOS晶体管M7的栅极接ENB,PMOS晶体管M7的漏极接VBN; 第二开关级电路包括PMOS晶体管M0,PMOS晶体管M0的源极接VDD,PMOS晶体管M0的栅极接启动电压的逻辑反ENB,PMOS晶体管M0的漏极接电阻串的第一端; 第三开关级电路包括NMOS晶体管M10,NMOS晶体管M10的源极接VSS,NMOS晶体管M10的栅极接VBN,NMOS晶体管M10的漏极接电阻串的第二端; 第四开关级电路包括NMOS晶体管M8和NMOS晶体管M9,NMOS晶体管M8的源极接NMOS晶体管M9的漏端,NMOS晶体管M8的栅极接电阻串的第二端,NMOS晶体管M8的漏极接VBP1; NMOS晶体管M9的源极接VSS,NMOS晶体管M9的栅极接启动电压ENE; 第二部分电路包括:共源共栅电流镜电路、PNP晶体管镜像网络和VREF输出电流镜通路;共源共栅电流镜电路的共栅端连接VBP1; 共源共栅电流镜电路的S端并联连接第三部分电路的漏端与PNP晶体管镜像网络相连接,VREF输出电流镜通路与共源共栅电流镜电路相连接; 第三部分电路包括:电阻、NMOS网络和数字选通网络,数字选通网络连接NMOS的栅端,电阻和NMOS网络连接共源共栅电流镜电路的源端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人沈阳工业大学,其通讯地址为:110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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