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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元、模块、电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310136591.4，技术领域涉及：G11C11/41；该发明授权一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元、模块、电路是由赵强;陈杰;程伟;李鹏飞;许鑫;吴秀龙;郝礼才;彭春雨;蔺智挺设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元、模块、电路在说明书摘要公布了：本发明涉及模拟集成电路技术领域，更具体的，涉及一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元，采用该种单元电路布局的模块、以及基于该种单元电路设计的抗辐射电路。本发明基于极性加固技术对存储节点Q、QB进行了NMOS管加固，只会产生负向脉冲，而该脉冲由于栅电容的存在不能影响其他晶体管的状态，这使得存储节点Q、QB有效避免发生翻转；同时外围节点S0、S1数据反馈保证了内部节点Q、QB可以在发生翻转后恢复至初始状态，从而使得单元在保证容限性能不掉队的情况，实现了抗辐照性能的提升，可实现部分双节点出现SEU也能恢复。

本发明授权一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元、模块、电路在权利要求书中公布了：1.一种利用极性加固技术的12T抗辐射SRAM单元，其特征在于，包括：PMOS晶体管P1，其源极电连接VDD； PMOS晶体管P2，其源极电连接VDD，栅极电连接P1的漏极； PMOS晶体管P3，其源极电连接P1的漏极，栅极电连接P1的栅极、P2的漏极； PMOS晶体管P4，其源极电连接P2的漏极，栅极电连接P1的漏极； NMOS晶体管N1，其源极电连接P3的漏极，栅极电连接P4的栅极； NMOS晶体管N2，其源极电连接P4的漏极，栅极电连接P3的栅极； NMOS晶体管N3，其漏极电连接N1的漏极、并设置有存储节点Q，栅极电连接N2的漏极，源极电连接GND； NMOS晶体管N4，其漏极电连接N2的漏极、并设置有存储节点QB，栅极电连接N1的漏极，源极电连接GND； NMOS晶体管N5，其漏极电连接P1的漏极、并设置有冗余节点S0，栅极电连接N2的漏极，源极电连接GND； NMOS晶体管N6，其漏极电连接P2的漏极、并设置有冗余节点S1，栅极电连接N1的漏极，源极电连接GND； NMOS晶体管N7，其源极电连接位线BL，栅极电连接字线WL，漏极电连接N1的漏极；以及 NMOS晶体管N8，其源极电连接位线BLB，栅极电连接字线WL，漏极电连接N2的漏极； 其中，存储节点Q被N1、N3、N4、N7包围，存储节点QB被N2、N3、N4、N8包围，构成极性加固结构。

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