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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利数据采样电路的布局结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310105095.2，技术领域涉及：G11C11/4063；该发明授权数据采样电路的布局结构及方法是由郭迎冬;姜伟;汪玉霞;徐静;陈乘设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据采样电路的布局结构及方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种数据采样电路的布局结构及方法。该布局结构包括：多个数据信号模块，多个数据信号模块沿第一方向间隔排布；选通信号模块，用于产生选通信号，数据采样电路用于根据选通信号从数据信号模块读取数据信号，或者将数据信号写入数据信号模块；多根信号线，多根信号线与多个数据信号模块一一对应，信号线的一端连接选通信号模块，信号线的另一端连接对应的数据信号模块；其中，至少一根信号线上设置有补偿电阻，用于使选通信号到达任意两个数据信号模块的延时的差值小于预设阈值。本申请通过补偿电阻调节传输阻抗，平衡传输时长，提高选通信号到达每个数据信号模块的一致性，进而保证数据读出写入的准确性。

本发明授权数据采样电路的布局结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种数据采样电路的布局结构，其特征在于， 包括： 多个数据信号模块，所述多个数据信号模块沿第一方向间隔排布； 选通信号模块，用于产生选通信号，所述数据采样电路用于根据所述选通信号从所述数据信号模块读取数据信号，或者将所述数据信号写入所述数据信号模块；多根信号线，所述多根信号线与所述多个数据信号模块一一对应，所述信号线的一端连接所述选通信号模块，所述信号线的另一端连接对应的所述数据信号模块；其中，至少一根所述信号线上设置有补偿电阻，用于使所述选通信号到达任意两个所述数据信号模块的延时的差值小于预设阈值； 所述补偿电阻包括呈阵列排布的多个底层电阻和上层电阻；所述多个底层电阻配置为第三金属层或多晶硅层；所述上层电阻与所述信号线同层布置，均配置为第四金属层；所述底层电阻的两端对应设置有接触孔，所述接触孔用于当所述底层电阻被选择连接在所述信号线中时，形成与所述信号线或所述上层电阻实现电连接的第二接触结构；所述上层电阻用于当多个所述底层电阻被选中连接在所述信号线中时，通过自身两端设置的所述第二接触结构实现两个所述底层电阻的电连接； 所述补偿电阻的A行B列个所述底层电阻被选中用于连接在所述信号线中，其中，A大于等于1，B大于1；每一列中的A个所述底层电阻通过A-1个所述上层电阻串联连接；位于第A行的B个所述底层电阻的第二端共同通过所述信号线与所述选通信号模块连接，位于第一行的B个所述底层电阻的第一端共同通过所述信号线与所述数据信号模块连接。

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