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龙图腾网获悉法国劲浪公司申请的专利高性能音频放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118715711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380019139.8，技术领域涉及：H03F3/30；该发明授权高性能音频放大器是由克里斯蒂安·朱里;路德维克·乌尔林-卡达尔;米歇尔·马兰当设计研发完成，并于2023-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高性能音频放大器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种旨在控制至少一个扬声器R44的高性能音频放大器102，该放大器包括接收输入信号S1的前置放大级301、连接到前置放大级301的功率放大级302以及将输出信号3的图像递送到前置放大级301的负反馈回路，功率放大级302包括两个供电电路155a、155b，这两个供电电路包括MOSFET晶体管M1、M2。本发明的特征在于，其包括：用于辅助充电的子电路、用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2放电的子电路、以及电压移位子电路。

本发明授权高性能音频放大器在权利要求书中公布了：1.一种旨在控制至少一个扬声器R44的高功率音频放大器102，所述放大器包括： -前置放大级201、301，接收输入信号S1； -功率放大级202-203、302，连接到所述前置放大级201、301，并提供旨在为所述至少一个扬声器R44供电的输出信号3；所述前置放大级201、301和所述功率放大级202-203、302包括彼此镜像安装的上部和下部； -反馈，向所述前置放大级201、301提供所述输出信号3的图像； -上电源电路151-155、155a，连接到所述功率放大级202-203、302的所述上部，并且使其能够由第一电源总线V++或第二电源总线V+供电； -下电源电路155b，连接到所述功率放大级202-203、302的所述下部，并且使其能够由第一或第二电源总线供电； -各个电源电路151-155、155a、155b包括MOSFET晶体管M1、M2和监测装置，所述MOSFET晶体管M1、M2由所述监测装置控制，以便在两条电源总线V++、V+中的一者或另一者之间进行切换，所述MOSFET晶体管M1、M2经由第四二极管D3、D11连接到所述第二电源总线V+，所述第四二极管的第一端子连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的源极，并且所述MOSFET晶体管M1、M2的漏极连接到所述第一电源总线V++，其特征在于，各个电源电路151-155、155a、155b还包括： -子电路131-133，用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2充电，包括至少第一电阻器R24、R31，所述第一电阻器R24、R31的第一端子连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的栅极，并且所述第一电阻器R24、R31的第二端子连接到互连点A1； -子电路141，用于辅助对所述MOSFET晶体管M1、M2放电，包括至少第二电阻器R8、R27和第三电阻器R21、R39以及双极晶体管Q12、Q13；所述双极晶体管Q12、Q13的基极连接到所述第三电阻器R21、R39的第一端子，其发射极连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的所述栅极，并且其集电极经由所述第二电阻器R8、R27连接到所述MOSFET晶体管M1、M2的所述源极，所述第三电阻器R21、R39的第二端子连接到所述互连点A1、A2；以及 -电压移位子电路161-163，包括与第一电容器C18、C23并联安装的第一二极管D8、D10；所述第一二极管D8、D10的第一端子和所述第一电容器C18、C23的第一端子连接到第一互连节点N1、N4，所述第一互连节点本身连接到所述用于辅助放电的所述子电路141的所述互连点A1、A2；所述第一二极管D8、D10的第二端子和所述第一电容器C18、C23的第二端子连接到第二互连节点N2、N3，所述第二互连节点本身连接到所述输出信号3。

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