华虹半导体(无锡)有限公司邓慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利光学邻近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310067085.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光学邻近修正方法是由邓慧芳;江志兴;范晓设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形，所述目标图形包括若干组同类型边；将每组所述同类型边进行分段处理，获取若干分割段；调整每组所述同类型边中各个所述分割段的控制点的位置参数、以及所述目标图形各个拐角的半径参数，建立原始参数矩阵；根据所述原始参数矩阵对所述目标图形进行若干次光学邻近修正，并获取每次所述光学邻近修正后的曝光图形，并从若干所述曝光图形中获取最佳曝光图形；获取所述最佳曝光图形对应的所述原始参数矩阵中最佳参数分配。在保证不扩大所述目标图形的前提下，获取所述最佳曝光图形，进而有效避免短路风险，以及提高所述曝光图形的面积，增加后续工艺的可靠性。
本发明授权光学邻近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供目标图形，所述目标图形包括若干组同类型边； 将每组所述同类型边进行分段处理，获取若干分割段； 调整每组所述同类型边中各个所述分割段的控制点的位置参数、以及所述目标图形各个拐角的半径参数，建立原始参数矩阵； 根据所述原始参数矩阵对所述目标图形进行若干次光学邻近修正，并获取每次所述光学邻近修正后的曝光图形，并从若干所述曝光图形中获取最佳曝光图形； 获取所述最佳曝光图形对应的所述原始参数矩阵中最佳参数分配。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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