浙江理工大学常山研究院有限公司胡海争获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉浙江理工大学常山研究院有限公司申请的专利一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115911171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310019051.8,技术领域涉及:H10F30/222;该发明授权一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法是由胡海争;朱羽晨;王宇超;吴超;王顺利;郭道友设计研发完成,并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种CuCrO2GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法,所述探测器依次包括石英衬底,位于石英衬底上方的GaON薄膜,并对其进行原位等离子体处理;位于GaON薄膜上方的CuCrO2层;位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及位于CuCrO2层的上方的第二测试电极;其中GaON薄膜与CuCrO2层,形成CuCrO2GaON异质结,构成内界电场,以分离光生载流子。所制备的CuCrO2GaON异质结构的日盲紫外探测器性能稳定,灵敏度高,响应速度快,可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
本发明授权一种CuCrO2/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种CuCrO2GaON异质结构的日盲紫外探测器,其特征在于,该探测器包括石英衬底1、GaON薄膜2、CuCrO2层3、第一测试电极4、第二测试电极5; 位于所述石英衬底1上方的GaON薄膜2,所述GaON薄膜2上方的CuCrO2层3,位于所述CuCrO2层3上的第一测试电极4,位于所述GaON薄膜2一侧且位于上方的第二测试电极5,所述GaON薄膜2与所述CuCrO2层3形成CuCrO2GaON异质结,构成内界电场。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江理工大学常山研究院有限公司,其通讯地址为:324200 浙江省衢州市常山县金川街道浙江常山经济开发区金川片区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。